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氧气分压对反应溅射制备TiO2薄膜带隙的影响

         

摘要

在不同的氧气分压下, 用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜试样, 测试了试样的荧光发射光谱. 结果表明, 氧气分压为0.35和0.65 Pa时, 荧光光谱在370, 472和514 nm处出现发射峰; 氧气分压为0.10和0.15 Pa时, 发射光谱峰出现在370和490 nm处. 试样带隙为3.35 eV. 0.35和0.65 Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有两个分别低于导带底0.72和0.94 eV的缺陷能级, 0.10和0.15 Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有一个位于导带底0.23和1.29 eV之间的缺陷能带; 增加氧气分压, 缺陷能带转变成两个缺陷能级, 在0.65 Pa氧气分压下, 缺陷能级几乎消失.

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