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Ab Initio Calculations for the Effect of Pressure on the Structural Properties of Si Nanoclusters

机译：压力对Si纳米团簇结构性能影响的从头算计算

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Lattice constant, bulk modulus, Young modulus, valence band width, conduction band width, energy gap, vibrational energy, and plasmon energy have been calculated under compression and tensile stresses in the range (0 ± 10 GPa) for 8, 54, 128 atom clusters of silicon by means of density functional theory method with restricted Hartree-Fock theory within the framework of large unit cell approach. It is found that the results deduced from eight atom cluster are in good agreement with the corresponding experimental values. On the other hand, bulk modulus, young modulus, valence band width, energy gap, and Plasmon energy increase (decrease) under compression (tensile), while volume decreases (increases) with compression (tensile). The vibrational energy has a minimum value at the ground state point. The conduction band width has no systematic behavior with pressure.
机译：对于8、54、128原子，在压缩应力和拉伸应力（0±10 GPa）的条件下，已经计算出晶格常数，体积模量，杨氏模量，价带宽度，导带宽度，能隙，振动能和等离子体激元能在大型晶胞方法的框架内，通过使用密度泛函理论方法和受限Hartree-Fock理论限制硅团簇的形成。结果表明，由八个原子团簇推导出的结果与相应的实验值吻合良好。另一方面，在压缩（拉伸）下，体积模量，杨氏模量，价带宽度，能隙和等离子能量增加（减少），而在压缩（拉伸）下体积减少（增加）。振动能在基态点处具有最小值。导带宽度在压力下没有系统行为。

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