...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering >Special Section on “Semicondutor Device Simulation”
【24h】

Special Section on “Semicondutor Device Simulation”

机译：“半导体器件仿真”专题

获取原文
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We are pleased to present the special section entitled “Semiconductor Device Simulation” in the 日本シミュレーション学会英文誌. It goes without saying that the computer simulation is an essential part of the modern semiconductor device design, and the continuous progress in semiconductor technologies requires more and more powerful device simulators that can simulate complex and multi-scale physical phenomena in a variety of materials. So, this special section is focused on the recent challenges and developments in the field of device simulation and modeling, including the fundamental electron transport models, novel numerical methodtogies, and applications. We believe that these fruits of research will contribute further continuous evolution of the semiconductor device technology in the future.
机译：我们很高兴在日本シミュレーション学会英文志中介绍名为“半导体器件仿真”的特殊部分。毫无疑问，计算机仿真是现代半导体器件设计的重要组成部分，并且半导体技术的不断进步要求越来越强大的器件仿真器能够在多种材料中模拟复杂和多尺度的物理现象。因此，本节专门针对器件仿真和建模领域的最新挑战和发展，包括基本的电子传输模型，新颖的数值方法论及其应用。我们相信，这些研究成果将为未来半导体器件技术的进一步持续发展做出贡献。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号