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首页> 外文期刊>Journal of Electrical and Electronic Engineering >A Compact Model of Mosfet Transistors Including Dispersion and Thermal Phenomena
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A Compact Model of Mosfet Transistors Including Dispersion and Thermal Phenomena

机译：包含色散和热现象的Mosfet晶体管的紧凑模型

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This paper propose a new electro-thermal model nd presents a method of studying the thermal phenomena in power MOSFET transistors, utilizing Advanced Design System techniques by a Symbolic Defined Device (SDD). The model incorporates the thermal effects and the temperature evolution in the device and captures the heat dissipation from the silicon chip to the ambient air by providing three thermal capacitances and three thermal resistances (thermal network). It enables a better estimation of the device's reliability and lifetime. Furthermore, it can be used to make a connection between the electrical parameter drifts and the existing failures types. The developed model reflects superior performance in terms of accuracy and flexibility and the results obtained indicate a good agreement with the operating conditions.
机译：本文提出了一种新的电热模型，并提出了一种利用符号定义器件（SDD）的先进设计系统技术研究功率MOSFET晶体管中热现象的方法。该模型结合了器件中的热效应和温度变化，并通过提供三个热容和三个热阻（热网络）来捕获从硅芯片到环境空气的散热。它可以更好地估计设备的可靠性和寿命。此外，它可用于在电气参数漂移和现有故障类型之间建立联系。所开发的模型在准确性和灵活性方面体现了出众的性能，并且获得的结果表明与操作条件有很好的一致性。

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