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Flaky nano-crystalline SnSe2 thin films for photoelectrochemical current generation

机译：片状纳米SnSe2薄膜用于光电化学电流产生

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We report chemical vapor deposition (CVD) and photoelectrochemical properties of large-area thin films of nano-crystalline SnSe _(2) on conducting FTO glass. We show that densely packed, randomly oriented SnSe _(2) nanoflakes can be grown by reacting vapors of tin monoselenide (SnSe) and selenium at 550?°C without compromising the electrical properties of FTO. We demonstrate that SnSe _(2) /FTO is photoelectrochemically active in visible to near-UV wavelengths (350–700 nm) and exhibits incident-photon-to-current-efficiency (IPCE) as high as 3.7% at 0 V versus the Ag/AgCl/1 M KCl reference electrode under 350 nm light illumination.
机译：我们报告化学FTO玻璃上的纳米晶SnSe _（2）的大面积薄膜的化学气相沉积（CVD）和光电化学性质。我们表明，可以通过在550°C下使单硒化锡（SnSe）和硒的蒸气反应而生长密堆积，随机取向的SnSe _（2）纳米片，而不会损害FTO的电性能。我们证明，SnSe _（2）/ FTO在可见光至近紫外波长（350-700 nm）内具有光电化学活性，并且在0 V时与入射光相比，其入射光子电流效率（IPCE）高达3.7％。 Ag / AgCl / 1 M KCl参比电极在350 nm光照下。

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