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首页> 外文期刊>Micro and Nano Systems Letters >Sidewall lithography of micron-sized features in high-aspect-ratio meso-scale channels using a three-dimensional assembled mask
【24h】

Sidewall lithography of micron-sized features in high-aspect-ratio meso-scale channels using a three-dimensional assembled mask

机译：使用三维组装掩模的高纵横比Meso-Scale通道中微壁光刻的微壁光刻

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We report a fabrication technique for dense, detailed lithographic patterning on high-aspect-ratio vertical sidewalls, and illustrate its use through the fabrication of etched array of micro-dimples on the sidewalls of aluminum channels. A photoresist etch mask was spray-coated inside the channel, and patterned using a silicon-fabricated three-dimensional mask which includes a diffuser and a reflector to uniformly redistribute the vertically incident source light in the channel. All the lithographic processes from photoresist coating to development have been carried out without disassembling the channel. Arrays of 107.5 μm-deep circular dimples were isotropically etched onto the sidewalls of a 31 mm-tall, 3.2 mm-wide aluminum channel.
机译：我们报告了一种用于高纵横比垂直侧壁上的致密详细光刻图案化的制造技术，并通过在铝通道的侧壁上制造蚀刻微凹槽阵列的制造。在通道内喷涂光致抗蚀剂蚀刻掩模，并使用硅制造的三维掩模图案化，该三维掩模包括漫射器和反射器，以均匀地重新分配通道中的垂直入射源光。已经进行了从光致抗蚀剂涂层到发育的所有光刻过程，而不拆卸通道。 107.5μm-深圆形凹坑的阵列在31mm高3.2毫米铝通道的侧壁上被各向同地蚀刻到侧壁上。

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