• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Defence science journal >Performance Analysis of GaN/AlGaN HEMTs Passivation using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition and Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Techniques
【24h】

Performance Analysis of GaN/AlGaN HEMTs Passivation using Inductively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition and Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Techniques

机译：电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积技术的GaN / AlGaN Hemts钝化性能分析

获取原文
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In the present paper SiN thin film has been studied as a passivation layer and its effect on AlGaN/GaN HEMTs is investigated using two different deposition techniques i.e PECVD and ICPCVD. AlGaN/GaN HEMTs devices passivated with optimised SiN film have delivered lower gate leakage current (from μA to nA). Device source drain saturation current (Ids) increased from 400mA/mm to ~550 A/mm and the peak extrinsic trans-conductance increased from 100 mS/mm to 170 mS/mm for a 0.8 μm HEMT device. The optimised SiN passivation process has resulted in reduced current collapse and increased breakdown voltage for HEMT devices.?
机译：在本文中，研究了SIN薄膜作为钝化层，使用两种不同的沉积技术I.EPECVD和ICPCVD来研究其对AlGaN / GaN HEMT的影响。使用优化的SIN膜钝化的AlGaN / GaN Hemts装置已经提供了较低的栅极漏电流（从μA到Na）。装置源漏电饱和电流（IDS）从400mA / mm增加到〜550a / mm，并且峰外部传导率从100ms / mm至170ms / mm增加到0.8μmhemt装置。优化的SIN钝化过程导致电流崩溃和HEMT器件的击穿电压增加。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号