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【24h】

Surface morphology smoothing of a 2 inch-diameter GaN homoepitaxial layer observed by X-ray diffraction topography

机译：X射线衍射形貌观察的2英寸直径GaN主页层的表面形态平滑

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We investigated the surface morphology changes in a 2 inch-diameter, c -plane, free-standing GaN wafer using X-ray diffraction topography in a grazing-incidence geometry. We observed a decrease in the peak intensity and increase in the full width at half maximum of the GaN 114 Bragg peak after the deposition of a homoepitaxial layer on the same GaN wafer. However, the lattice plane bending angles did not change after homoepitaxial layer deposition. Distorted-wave Born approximation calculations near the total external reflection condition revealed a decrease in the X-ray incidence angle of the 114 Bragg peak after the homoepitaxial layer deposition. The decrease in both X-ray penetration and incidence angle induced broader and weaker diffraction peaks from the surface instead of the bulk GaN.
机译：我们研究了使用X射线衍射形貌的2英寸直径，C-平面的表面形态变化，在放牧发生几何形状中使用X射线衍射形貌。在同一GaON晶片上沉积同源层之后，我们观察到峰值强度的降低，并且在GaN 114 Bragg峰的半个最大值下的全宽度增加。然而，晶格平面弯曲角度在主页层沉积后没有改变。在总外反射条件附近的扭转波出生近似计算显示在主页层沉积之后114布拉格峰的X射线入射角的降低。 X射线穿透和入射角的降低诱导从表面代替散装GaN的更宽和较弱的衍射峰。

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