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【24h】

Adsorption performance of M-doped (M = Ti and Cr) gallium nitride nanosheets towards SO2 and NO2: a DFT-D calculation

机译：M掺杂（M = Ti和Cr）氮化镓纳米片朝向SO2和NO2的吸附性能：DFT-D计算

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The structure, adsorption characteristics, electronic properties, and charge transfer of SO _(2) and NO _(2) molecules on metal-doped gallium nitride nanosheets ( M-GaNNS s; M = Ti and Cr) were scrutinized at the Grimme-corrected PBE/double numerical plus polarization (DNP) level of theory. Two types, M _(Ga) -GaNNS s and M _(N) -GaNNS s, of doped nanostructures were found. The M _(Ga) sites are more stable than the M _(N) sites. The results showed that adsorption of SO _(2) and NO _(2) molecules on Ti _(Ga,N) -GaNNS s is energetically more favorable than the corresponding Cr _(Ga,N) -GaNNS s. The stability order of complexes is energetically predicted to be as NO _(2) –Ti _(Ga) -GaNNS > NO _(2) –Ti _(N) -GaNNS > SO _(2) –Ti _(Ga) -GaNNS > NO _(2) –Cr _(N) -GaNNS > SO _(2) –Ti _(N) -GaNNS > NO _(2) –Cr _(Ga) -GaNNS > SO _(2) –Cr _(N) -GaNNS > SO _(2) –Cr _(Ga) -GaNNS . The electron population analysis shows that charge is transferred from M _(Ga,N) -GaNNS s to the adsorbed gases. The Ti _(Ga) -GaNNS is more sensitive than the other doped nanostructures to NO _(2) and SO _(2) gases. It is estimated that the sensitivity of Ti _(Ga) -GaNNS to NO _(2) gas is more than to SO _(2) gas.
机译：在GRIMME审查所以在金属掺杂氮化镓纳米片（M-GANNS S; M = Ti和Cr）上仔细仔细仔细审查在金属掺杂氮化镓纳米片（M-Ganns S; M = Ti和Cr）上的_（2）和NO _（2）分子的电荷转移校正PBE /双数值加偏振（DNP）理论水平。发现了两种类型的M _（GA） - 掺杂纳米结构的M _（GA）-GANNS S和M _（n）。 M _（GA）站点比M _（n）站点更稳定。结果表明，SO_（2）和NO _（2）分子的吸附在TI _（GA，N） - 对于S比相应的CR _（GA，N）有利更有利。复合物的稳定性顺序是大量的预测，也可以是否_（2）-ti_（ga） - 否_（2）-Ti _（n）-ganns> so_（2）-ti_（ga） -ganns>否_（2）-cr _（n）-ganns> so_（2）-ti _（n）-ganns> no _（2）-cr _（ga）-ganns> so_（2） -cr _（n）-ganns> so _（2）-cr _（ga）-ganns。电子群体分析表明，电荷从M _（Ga，n）转移到吸附的气体。 Ti _（Ga）-ganns比其他掺杂的纳米结构更敏感到No _（2）等_（2）气体。估计Ti _（Ga）对No _（2）气体的敏感性大于如此_（2）气体。

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