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【24h】

Capping ligand infrared absorption and dopant photoluminescence spectroscopy provides a comprehensive picture to probe dopant spatial location in semiconductor nanoparticles

机译：覆盖配体红外吸收和掺杂剂光致发光光谱提供了综合图，以探测半导体纳米颗粒中的掺杂空间位置

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The spatial location of a foreign species (dopant) in a semiconductor nanoparticle matrix is probed by monitoring the infrared absorption and photoluminescence spectroscopy of the capping ligand and dopant moieties respectively at room temperature. The results have been rationalized within the domain of observables in each experiment and argued to provide a comprehensive picture in tracking the core and surface localized terbium cations that are incorporated in zinc sulfide nanoparticles. The progression of luminescence quantum yield of the core and surface localized terbium cations with doping extent induced variation has been found to be different. The generality of the experimental observations has been demonstrated with the corresponding europium incorporated nanoparticles.
机译：通过在室温下分别监测封端配体和掺杂剂部分的红外吸收和光致发光光谱来探测半导体纳米颗粒基质中的外来物质（掺杂剂）的空间位置。结果已经在每个实验中的可观察到结构领域中合理化，并认为在跟踪含有含有硫化锌纳米颗粒中的核心和表面局部铽阳离子的综合图。已经发现，具有掺杂程度诱导变化的核心和表面局部铽阳离子的发光量子产量的进展是不同的。通过相应的铕掺入的纳米颗粒证明了实验观察的一般性。

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