SiC-MOSFETの高精度デバイスモデル: スィツチング動作の高精度解析に向けて

椋木　康滋; 堀口　剛司; 石井　佑季; 地道　拓志; 葛本　昌樹

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SiC-MOSFETの高精度デバイスモデル: スィツチング動作の高精度解析に向けて

机译：SIC-MOSFET高精度器件模型：用于开关操作的高精度分析

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SiC-MOSFETデバィスの製品化,電力変換器への搭載が本格化している。各社がSiC-MOSFETのディスクリート品,モジュール品のラインナップを拡充しており,SiC-MOSFET市場は拡大傾向にある。この市場拡大を追い風に,SiC-MOSFETのデバィスモデルの研究も活況である～(1))。デバイスモデルとは,デバイスの動作をシミュレータ上で再現するモデルを指す。各シミユレータに応じたモデルが開発されているが,本稿では特に回路シミュレータで動作する等価回路モデルについて記載する～(2-4))。このデバイスモデルを活用することで,プロト機の試作をせずにSiC-MOSFETのスイツチング動作,損失,発熱,電磁ノィズのシミュレーション検討が可能となる～(5))。

机译：SiC-MOSFET器件的生产化，安装在电源转换器上的旋转状态。每家公司都有扩展SIC-MOSFET离散商品，基于模块的阵容，SIC-MOSFET市场正在扩大。 SIC-MOSFET的器件模型的研究也积极修改该市场扩展〜（1））。设备模型是指在模拟器上再现设备操作的模型。根据每个司晶圆器开发了一种模型，但在本文中，我们描述了在电路模拟器中运行的等效电路模型。通过利用该设备模型，可以研究SiC-MOSFET，损耗，发热和电磁笔记的切换操作，而不会出现原型化植物。（5））。

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来源
《電気評論》 |2020年第12期|44-48|共5页
作者
椋木　康滋; 堀口　剛司; 石井　佑季; 地道　拓志; 葛本　昌樹;
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作者单位

三菱電機株式会社;

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三菱電機株式会社;

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