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【24h】

SiCパワーチップぉよびSiCパヮーモジュールの製品化開発動向

机译:SiC功率芯片和SiC功率模块的商业化趋势

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摘要

現状のSiCはSiC-SBDがSi-IGBTとのハイブリッドモジュールを構成して製品展開されているものが大半であり,損失低減効果が製品レベルで示されている。今後のさらなる低損失すなわち省エネなパヮェレ機器実現の鍵を握るのはSiC-MOSFETであり,これとSiC-SBDとを組合せたフルSiCモジュールと考えられる。SiCがパワーデバイス市場へ普及,拡大していくためには.結晶品質の向上を含めたデバイス特性改善をより一層はかるとともに,如何に低コストで製造し低価格で市場に供給できるかという観点からの取組も求められている。
机译:当前的大多数SiC产品都是通过形成SiC-SBD和Si-IGBT的混合模块来开发的,其降低损耗的效果体现在产品层面。 SiC-MOSFET是将来实现更多低损耗或节能功率设备的关键,并且可以认为是将其与SiC-SBD相结合的全SiC模块。为了将SiC传播并扩展到功率器件市场,从进一步改善器件特性(包括改善晶体质量)以及如何以低成本制造和以低价供应给市场的角度出发也需要。

著录项

  • 来源
    《電気評論》 |2013年第10期|20-24|共5页
  • 作者

    三浦成久;

  • 作者单位

    三菱電機株式会社 先端技術総合研究所;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
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