Carrier-Mobility Enhancement via Strain Engineering in Future Thin-Body MOSFETs

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• 来源
  《Electron Device Letters, IEEE》 |2012年第3期|p.318-320|共3页
• 作者

  Xu N.; Ho B.; Andrieu F.; Smith L.; Nguyen B.-Y.; Weber O.; Poiroux T.; Faynot O.; Liu T.-J. K.;

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• 作者单位

  Electrical Engineering and Computer Science Department, University of California, Berkeley, CA, USA;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Carrier mobility; FinFET; fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI); high-k/metal gate; strain; ultra thin body and BOX;

  机译：载流子迁移率;FinFET;完全耗尽的绝缘体上硅（FD-SOI）;高k /金属栅;应变;超薄体和BOX;