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改善碳化硅上的MOSFET沟道中的载流子迁移率的器件

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摘要

本发明涉及一种布置在衬底10上的MOSFET器件，该MOSFET器件包括重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14，重掺杂的第一条带11和重掺杂的第二条带14分别被第一接触件13和第二接触件15覆盖，这两个条带被也出现在衬底10上的沟道18间隔开，沟道被电介质层20覆盖，第三接触件21处于电介质层20本身上面。该器件的显著之处在于，沟道18在与电介质层20的界面处包含轻掺杂有与沟道相同类型的掺杂物原子的薄膜19，这些掺杂物原子被分布在界面的两侧上。

著录项

公开/公告号CN112703607A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-23

原文格式PDF
申请/专利权人离子射线服务公司;国家微电子中心-西班牙研究委员会;
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申请/专利号CN201980060474.6
发明设计人 F·托瑞格罗萨;L·洛克斯;P·格蒂格诺恩;
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申请日2019-09-06
分类号H01L29/16(20060101);H01L29/66(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人於菪珉
地址法国佩尼耶
入库时间 2023-06-19 10:43:23

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