High-Power Ka-Band Performance of AlInN/GaN HEMT With 9.8-nm-Thin Barrier

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• 来源
  《Electron Device Letters, IEEE》 |2010年第1期|P.2-4|共3页
• 作者

  Crespo A.; Bellot M.M.; Chabak K.D.; Gillespie J.K.; Jessen G.H.; Miller V.; Trejo M.; Via G.D.; Walker D.E.; Winningham B.W.; Smith H.E.; Cooper T.A.; Gao X.; Guo S.;

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• 作者单位

  AFRL Sensors Directorate, Air Force Res. Lab., Wright-Patterson AFB, OH, USA;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  III-V semiconductors; aluminium compounds; chemical vapour deposition; gallium compounds; high electron mobility transistors; ohmic contacts; AlInN; AlInN/GaN HEMT; CW Ka-band radiofrequency power measurement; GaN; SiC; frequency 113.8 GHz; frequency 35 GHz; frequency 79 GHz; high-electron mobility transistor; high-power Ka-band performance; metal-organic chemical vapor deposition; ohmic contact; size 9.8 nm; voltage 20 V; Aluminum indium nitride; gallium nitride; high-electron mobility transistor (HEMT); millimeter-wave transistors; power measurement;

  机译：III-V半导体;铝化合物;化学气相沉积;镓化合物;高电子迁移率晶体管;欧姆接触;AlInN;AlInN / GaN HEMT;CW Ka波段射频功率测量;GaN;SiC;频率113.8 GHz;频率35 GHz;频率79 GHz;高电子迁移率晶体管;高功率Ka波段性能;金属有机化学气相沉积;欧姆接触;尺寸9.8 nm;电压20 V;氮化铟铝;氮化镓;高电子迁移率晶体管（HEMT） ）;毫米波晶体管;功率测量;