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5th European Microwave Integrated Circuits Conference
5th European Microwave Integrated Circuits Conference
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1.
50W X-band GaN MMIC HPA: Effective power capability and transient thermal analysis
机译:
50W X波段GaN MMIC HPA:有效的功率能力和瞬态热分析
作者:
Costrini C.
;
Cetronio A.
;
Romanini P.
;
Breglio G.
;
Irace A.
;
Riccio M.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
MMICs;
power amplifiers;
radar;
2.
Design and manufacturing of wideband buried RF feedthroughs for wafer-level RF MEMS package
机译:
晶圆级RF MEMS封装的宽带埋入式RF馈通的设计和制造
作者:
Gannudi H. El
;
Farinelli P.
;
Pieper I.
;
Chiuppesi E.
;
Sorrentino R.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
3.
An all-active MMIC-based chip set for a wideband 260–304 GHz receiver
机译:
基于有源MMIC的全芯片组,适用于260-304 GHz宽带接收器
作者:
Kallfass I.
;
Tessmann A.
;
Massler H.
;
Pahl P.
;
Leuther A.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
H-Band;
MMICs;
mHEMT;
millimeter-wave FET frequency conversion;
millimeter-wave amplifier;
millimeter-wave frequency multiplication;
4.
A 3–14 GHz pseudo-differential distributed low noise amplifier
机译:
3–14 GHz伪差分分布式低噪声放大器
作者:
de Hek Peter
;
Van Caekenberghe Koen
;
van Dijk Raymond
会议名称:
《》
|
2010年
5.
Output power density higher than 1 W/mm at 4 GHz thanks to an original silicon LDEMOS transistor layout
机译:
得益于原始的硅LDEMOS晶体管布局,在4 GHz时输出功率密度高于1 W / mm
作者:
Ducatteau D.
;
Fournier D.
;
Bekangba G.
;
Chevalier P.
;
Gaquiere C.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
6.
GaN power FETs for next generation mobile communication systems
机译:
用于下一代移动通信系统的GaN功率FET
作者:
Muser M.
;
Walcher H.
;
Maier T.
;
Quay R.
;
Dammann M.
;
Mikulla M.
;
Ambacher O.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
7.
A single bias 20W S-band HPA for radar applications
机译:
用于雷达应用的单偏置20W S波段HPA
作者:
Bettidi A.
;
Cetronio A.
;
Lavanga S.
;
Nanni A.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
MMICs;
phased array radar;
power amplifiers;
8.
GaN power MMICs for X-Band T/R modules
机译:
用于X波段T / R模块的GaN功率MMIC
作者:
Jardel O.
;
Mazeau J.
;
Piotrowicz S.
;
Caban-Chastas D.
;
Chartier E.
;
Morvan E.
;
Dueme P.
;
Mancuso Y.
;
Delage S. L.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
9.
Nonlinear thermal resistance characterization for compact electrothermal GaN HEMT modelling
机译:
紧凑型电热GaN HEMT建模的非线性热阻特性
作者:
Santarelli Alberto
;
Di Giacomo Valeria
;
Cignani Rafael
;
DAngelo Sara
;
Niessen Daniel
;
Filicori Fabio
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
10.
Comparison on mHEMT Q-band sub-harmonic mixers with/without delay compensation
机译:
具有/不具有延迟补偿的mHEMT Q波段次谐波混频器的比较
作者:
Syu Jin-Siang
;
Meng Chinchun
;
Su Jen-Yi
;
Huang Guo-Wei
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
Q band;
metamorphic high electron mobility transistor (mHEMT);
sub-harmonic mixer (SHM);
11.
Theoretical and experimental comparison of Class F vs. Class F
−1
PAs
机译:
F级与F
-1 sup>级PA的理论和实验比较
作者:
Cipriani Elisa
;
Colantonio Paolo
;
Giannini Franco
;
Giofre Rocco
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
Class F;
Class Fsup−1/sup;
GaAs;
power amplifiers;
12.
GaAs MMIC integrated diode limiters
机译:
GaAs MMIC集成二极管限制器
作者:
Billstrom Niklas
;
Nilsson Mattias
;
Estmer Krister
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
13.
GaN based power amplifiers for broadband applications from 2 GHz to 6 GHz
机译:
用于2 GHz至6 GHz宽带应用的GaN基功率放大器
作者:
Sledzik H.
;
Reber R.
;
Bunz B.
;
Schuh P.
;
Oppermann M.
;
Muser M.
;
Seelmann-Eggebert M.
;
Quay R.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
AlGaN/GaN;
HPA;
broadband power amplifier;
power amplifier module;
14.
Thermal and trapping phenomena assessment on AlGaN/GaN microwave power transistor
机译:
AlGaN / GaN微波功率晶体管的热和俘获现象评估
作者:
Mouginot Guillaume
;
Sommet Raphael
;
Quere Raymond
;
Ouarch Zineb
;
Heckmann Sylvain
;
Camiade Marc
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
15.
RF passive components on a low resistivity Si substrate with an ABF isolation layer
机译:
具有ABF隔离层的低电阻率Si基板上的RF无源组件
作者:
Kim Dongsu
;
Kim Dong Ho
;
Yook Jong Min
;
Ryu Jong In
;
Park Se-Hoon
;
Kim Jun Chul
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
16.
107–112 Gbit/s fully integrated CDR/1:2 DEMUX using InP-based DHBTs
机译:
使用基于InP的DHBT的107–112 Gbit / s完全集成的CDR / 1:2 DEMUX
作者:
Makon R. E.
;
Driad R.
;
Schubert C.
;
Fischer J.
;
Losch R.
;
Walcher H.
;
Rosenzweig J.
;
Schlechtweg M.
;
Ambacher O.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
17.
A dual-tapped microstrip resonator VCO
机译:
双抽头微带谐振器VCO
作者:
Tsuru Masaomi
;
Nishida Kazuhiro
;
Kawakami Kenji
;
Yamaguchi Daisuke
;
Komaki Masahiko
;
Hieda Morishige
;
Hayashi Ryoji
;
Hirano Yoshihito
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
18.
A system-on-package module by fully embedding chip components in organic substrate
机译:
通过将芯片组件完全嵌入有机衬底中的系统级封装模块
作者:
Ryu Jong-In
;
Kim Dongsu
;
Kim Jun Chul
;
Kim Hyeongdong
;
Park Jong Chul
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
19.
Terahertz three-dimensional plasma resonances in InGaAs diodes: A hydrodynamic study
机译:
InGaAs二极管中的太赫兹三维等离子体共振:流体动力学研究
作者:
Ziade Pierre
;
Palermo Christophe
;
Marinchio Hugues
;
Laurent Thibault
;
Sabatini Giulio
;
Nouvel Philippe
;
Kallassy Ziad
;
Varani Luca
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
20.
A varactorless VCO with 15 continuous frequency tuning range and 0.2 Db output power variation
机译:
具有15%连续频率调谐范围和0.2 Db输出功率变化的无变容VCO
作者:
Chen Ying
;
Mouthaan Koen
;
Geurts Marcel
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
21.
A balanced resistive 210 GHz mixer with 50 GHz IF bandwidth
机译:
具有50 GHz IF带宽的平衡电阻210 GHz混频器
作者:
Lopez-Diaz D.
;
Kallfass I.
;
Tessmann A.
;
Massler H.
;
Leuther A.
;
Schlechtweg M.
;
Ambacher O.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
22.
A low phase-noise SiGe Colpitts VCO with wide tuning range for UWB applications
机译:
具有低调谐范围的低相位SiGe Colpitts VCO,适用于UWB应用
作者:
Esswein Alexander
;
Dehm-Andone Gunther
;
Weigel Robert
;
Aleksieieva Anna
;
Vossiek Martin
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
Analog integrated circuits;
Phase noise;
Ultra wideband;
Voltage controlled oscillators;
23.
Assessment of power-transistor package models: Distributed versus lumped approach
机译:
功率晶体管封装模型的评估:分布式与集总方法
作者:
Rudolph Matthias
;
Heinrich Wolfgang
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
MODFETs;
power transistors;
semiconductor device modeling;
semiconductor device packaging;
24.
The end of indexes
机译:
索引结尾
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
25.
A broadband 20- to 40 GHz linear driver amplifier MMIC in surface mount QFN 3×3-mm package
机译:
采用表面贴装QFN 3×3 mm封装的20至40 GHz宽带线性驱动器放大器MMIC
作者:
Bessemoulin A.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
26.
Abstract cards
机译:
抽象卡
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
27.
8W 2–8GHz solid state amplifier for phased array
机译:
8W 2-8GHz固态放大器,用于相控阵
作者:
Diciomma R.
;
Ciacia E.
;
Giolo G.
;
Baccello D.
;
Orobello B.
;
Alleva V.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
28.
An MMIC wide-band doubly balanced resistive mixer with an active IF balun
机译:
具有有源中频巴伦的MMIC宽带双平衡电阻混频器
作者:
Jeong Jin-Cheol
;
Yom In-Bok
;
Yeom Kyung-Whan
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
29.
Detailed author index
机译:
详细作者索引
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
30.
Brief author index
机译:
作者简介
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
31.
GaN-on-Si HEMTs above 10 W/mm at 2 GHz together with high thermal stability at 325°C
机译:
硅基GaN HEMT在2 GHz时高于10 W / mm,在325°C时具有很高的热稳定性
作者:
Medjdoub F.
;
Marcon D.
;
Das J.
;
Derluyn J.
;
Cheng K.
;
Degroote S.
;
Vellas N.
;
Gaquiere C.
;
Germain M.
;
Decoutere S.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
32.
150 nm copper metalized GaAs pHEMT with Cu/Ge ohmic contacts
机译:
具有Cu / Ge欧姆接触的150 nm铜金属GaAs pHEMT
作者:
Anichenko E. V.
;
Arykov V. S.
;
Erofeev E. V.
;
Kagadei V. A.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
33.
Design of HEMT GaN power amplifiers with wideband control of 2
nd
harmonic impedances in S-Band
机译:
具有S波段2
nd sup>谐波阻抗的宽带控制的HEMT GaN功率放大器的设计
作者:
Cheron J.
;
Campovecchio M.
;
Barataud D.
;
Stanislawiak M.
;
Tolant C.
;
Eudeline P.
;
Floriot D.
;
Heckmann S.
;
Favede L.
;
Temcamani F.
;
Duperrier C.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
34.
RF waveform method for the determination of the safe operating area of GaN HFET's for amplifiers subjected to high output VSWR
机译:
用于确定高输出VSWR的放大器的GaN HFET的安全工作区域的RF波形方法
作者:
McGenn William
;
Powell Jeff
;
Uren Michael
;
Benedikt Johannes
;
Tasker Paul
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
35.
A non linear power HEMT model operating in multi-bias conditions
机译:
在多偏置条件下运行的非线性功率HEMT模型
作者:
Charbonniaud C.
;
Xiong A.
;
Dellier S.
;
Jardel O.
;
Quere R.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
36.
High frequency performance of Tellurium σ-doped AlSb/InAs HEMTs at low power supply
机译:
低电源下碲掺杂σ的AlSb / InAs HEMT的高频性能
作者:
Olivier Aurelien
;
Noudeviwa Albert
;
Wichmann Nicolas
;
Roelens Yannick
;
Desplanque Ludovic
;
Danneville Francois
;
Dambrine Gilles
;
Wallart Xavier
;
Bollaert Sylvain
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
III-V semiconductors;
InAs/AISb;
antimonide-based compound semiconductor;
high electron mobility transistors (HEMT);
low-power electronics;
37.
A fully integrated multiband frequency synthesizer for WLAN and WiMAX applications
机译:
完全集成的多频带频率合成器,用于WLAN和WiMAX应用
作者:
Ozeren Emre
;
Zihir Samet
;
Tasdemir Ferhat
;
Tekin Ibrahim
;
Gurbuz Yasar
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
38.
HPA module for active antenna applications
机译:
适用于有源天线应用的HPA模块
作者:
Lopez D.
;
Bortoli L.
;
Fraysse J-P.
;
Langrez D.
;
Villemazet J-F.
;
Cazaux J-L.
;
Soubercaze-Pun G.
;
Lapierre L.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
39.
Characterization of electron device breakdown under nonlinear dynamic operation
机译:
非线性动态操作下电子器件击穿的表征
作者:
Raffo Antonio
;
Di Falco Sergio
;
Vadala Valeria
;
Vannini Giorgio
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
40.
High-isolation low-loss SP7T pHEMT switch suitable for antenna switch modules
机译:
高隔离低损耗SP7T pHEMT开关,适用于天线开关模块
作者:
Yore Michael D.
;
Nevers Corey A.
;
Cortese Philippe
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
41.
Compact variable reflective-type SiGe phase shifter using lumped elements for 5 GHz applications
机译:
使用集总元件的紧凑型可变反射型SiGe相移器,用于5 GHz应用
作者:
Hettak K.
;
Morin G. A.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
42.
EuMA awards
机译:
EuMA奖
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
43.
Welcome messages
机译:
欢迎留言
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
44.
Welcome messages
机译:
欢迎留言
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
45.
Conference committees
机译:
会议委员会
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
46.
Welcome messages
机译:
欢迎留言
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
47.
EuMW 2009 Rome prizes
机译:
EuMW 2009罗马大奖
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
48.
Modeling and parameter extraction of SiGe: C HBT's with HICUM for the emerging terahertz era
机译:
SiGe:C HBT与HICUM的建模和参数提取,用于新兴的太赫兹时代
作者:
Ardouin B.
;
Raya C.
;
Schroter M.
;
Pawlak A.
;
Celi D.
;
Pourchon F.
;
Aufinger K.
;
Meister T. F.
;
Zimmer T.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
49.
TCAD simulation and development within the European DOTFIVE project on 500GHz SiGe:C HBT's
机译:
欧洲DOTFIVE项目中在500GHz SiGe:C HBT上的TCAD仿真和开发
作者:
Al-Sadi M.
;
dAlessandro V.
;
Fregonese S.
;
Hong S.-M.
;
Jungemann C.
;
Maneux C.
;
Marano I.
;
Pakfar A.
;
Rinaldi N.
;
Sasso G.
;
Schroter M.
;
Sibaja-Hernandez A.
;
Tavernier C.
;
Wedel G
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
50.
K-band CMOS-based power amplifier module with MEMS tunable bandpass filter
机译:
具有MEMS可调带通滤波器的K波段CMOS功率放大器模块
作者:
Joshin Kazukiyo
;
Kawano Yoichi
;
Mi Xiaoyu
;
Toyoda Osamu
;
Suzuki Toshihide
;
Hirose Tatsuya
;
Ueda Satoshi
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
51.
Improved microwave noise and linearity performance in GaN MISHEMTs on silicon with ALD Al
2
O
3
as gate dielectric
机译:
以ALD Al
2 inf> O
3 inf>作为栅极电介质的硅上GaN MISHEMT中改进的微波噪声和线性性能
作者:
Liu Z. H.
;
Ng G. I.
;
Arulkumaran S.
;
Maung Y. K. T.
;
Teo K. L.
;
Foo S. C.
;
Vicknesh S.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
A1inf2/infOinf3/inf;
GaN;
linearity;
metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor (MISHEMT);
noise;
52.
An InP HBT sub-harmonic mixer for E-band wireless communication
机译:
用于E波段无线通信的InP HBT次谐波混频器
作者:
Johansen Tom K.
;
Krozer Viktor
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
53.
Highly efficient harmonically tuned broadband GaN power amplifier
机译:
高效谐波调谐宽带GaN功率放大器
作者:
Tanany Ahmed Al
;
Gruner Daniel
;
Sayed Ahmed
;
Boeck Georg
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
54.
GaN-on-Si HEMTs above 10 W/mm at 2 GHz together with high thermal stability at 325°C
机译:
硅基GaN HEMT在2 GHz时高于10 W / mm,在325°C时具有很高的热稳定性
作者:
Medjdoub F.
;
Marcon D.
;
Das J.
;
Derluyn J.
;
Cheng K.
;
Degroote S.
;
Vellas N.
;
Gaquiere C.
;
Germain M.
;
Decoutere S.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
55.
150 nm copper metalized GaAs pHEMT with Cu/Ge ohmic contacts
机译:
具有Cu / Ge欧姆接触的150 nm铜金属GaAs pHEMT
作者:
Anichenko E. V.
;
Arykov V. S.
;
Erofeev E. V.
;
Kagadei V. A.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
56.
Reviewers
机译:
审稿人
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
57.
Advances in millimeter-wave and sub-millimeter-wave devices and circuits, Si to III-Vs
机译:
Si至III-V毫米波和亚毫米波器件和电路的进步
作者:
Hung H. Alfred
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
58.
Pushing conventional SiGe HBT technology towards 'Dotfive' terahertz
机译:
将传统的SiGe HBT技术推向“ Dotfive”太赫兹
作者:
Chantre Alain
;
Chevalier Pascal
;
Lacave Thomas
;
Avenier Gregory
;
Buczko Michel
;
Campidelli Yves
;
Depoyan Linda
;
Berthier Ludovic
;
Gacquiere Christophe
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
Heterojunction bipolar transistors (HBT);
Nanotechnology;
Silicon Germanium (SiGe);
59.
Development of wafer-scale graphene RF electronics
机译:
晶圆级石墨烯射频电子产品的开发
作者:
Moon J. S.
;
Curtis D.
;
Hu M.
;
Wong D.
;
McGuire C.
;
Campbell P. M.
;
Jernigan G.
;
Tedesco J.
;
VanMil B.
;
Myers-Ward R.
;
Eddy C.
;
Gaskill D. K.
;
Robinson J.
;
Fanton M.
;
Asbeck P.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
60.
A novel GaN-based high frequency varactor diode
机译:
一种新颖的基于GaN的高频变容二极管
作者:
Jin Chong
;
Pavlidis Dimitris
;
Considine Laurence
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
61.
A 484-μm
2
21-GHz LC-VCO beneath a stacked-spiral inductor
机译:
堆叠螺旋电感器下方的484μm
2 sup> 21 GHz LC-VCO
作者:
Murakami Rui
;
Okada Kenichi
;
Matsuzawa Akira
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
62.
79GHz BiCMOS single-ended and differential power amplifiers
机译:
79GHz BiCMOS单端和差分功率放大器
作者:
Demirel Nejdat
;
Kerherve Eric
;
Plana Robert
;
Pache Denis
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
79GHz Power Amplifiers;
Automotive SRR Application;
BiCMOS SiGe;
Millimeter Wave;
63.
Beamformer ASIC in UHF-L band for the square kilometer array international project
机译:
UHF-L频段的Beamformer ASIC,用于平方公里阵列国际项目
作者:
Bosse Stephane
;
Barth Severin
;
Torchinsky Steve
;
Da Silva Bruno
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
64.
Potentiality of commercial metamorphic HEMT at cryogenic temperature and low voltage operation
机译:
在低温和低压运行条件下商业化HEMT的潜力
作者:
Noudeviwa A.
;
Roelens Y.
;
Danneville F.
;
Olivier A.
;
Wichmann N.
;
Waldhoff N.
;
Lepilliet S.
;
Dambrine G.
;
Desplanque L.
;
Wallart X.
;
Bellaiche J.
;
Smith D.
;
Maher H.
;
Bollaert S.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
65.
Rigorous, HB-based nonlinear stability analysis of multi-device power amplifier
机译:
多设备功率放大器基于HB的严格非线性稳定性分析
作者:
Cappelluti Federica
;
Traversa Fabio L.
;
Bonani Fabrizio
;
Guerrieri Simona Donati
;
Ghione Giovanni
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
66.
A distributed upconverter MMIC with composite right/left handed transmission lines
机译:
具有右/左复合传输线的分布式上变频器MMIC
作者:
Kawashima Munenari
;
Nishikawa Kenjiro
;
Kawasaki Shigeo
;
Seita Harunobu
;
Omura Yoshiharu
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
67.
New process for low sheet and ohmic contact resistance of AIN/GaN MOS-HEMTs
机译:
AIN / GaN MOS-HEMT的低薄层和欧姆接触电阻的新工艺
作者:
Taking S.
;
Khokhar A. Z.
;
MacFarlane D.
;
Sharabi S.
;
Dabiran A. M.
;
Wasige E.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
AIN/GaN;
Alinf2/infOinf3/inf;
HEMT;
MOS-HEMT;
thermal oxidation;
wet etching;
68.
Development of enhancement mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs using localized gate-foot oxidation
机译:
利用局部栅脚氧化技术开发增强型AlGaN / GaN MOS-HEMT
作者:
Banerjee Abhishek
;
Taking Sanna
;
MacFarlane Douglas
;
Dabiran Amir
;
Wasige Edward
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
69.
Printed RF tags and sensors: The confluence of printing and semiconductors
机译:
印刷RF标签和传感器:印刷与半导体的融合
作者:
Subramanian Vivek
;
Liao Frank
;
Tseng Huai-Yuan
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
70.
Low-phase-noise wide-frequency-range differential ring-VCO with non-integral subharmonic locking in 0.18/μm CMOS
机译:
在0.18 /μmCMOS中具有非积分亚谐波锁定的低相位噪声宽频差分环VCO
作者:
Lee Sang_yeop
;
Amakawa Shuhei
;
Ishihara Noboru
;
Masu Kazuya
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
CMOS;
Ring-VCO;
injection-locked oscillator;
low phase noise;
subharmonic locking;
71.
A low-power analog-to-digital converter for multi-gigabit wireless receiver in 90nm CMOS
机译:
用于90nm CMOS的千兆位无线接收器的低功耗模数转换器
作者:
Chuang Kevin
;
Yeh David
;
Pinel Stephane
;
Laskar Joy
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
72.
Development of a neural approach for bias-dependent scalable small-signal equivalent circuit modeling of GaAs HEMTs
机译:
GaAs HEMT的偏置相关可扩展小信号等效电路建模的神经方法的开发
作者:
Marinkovic Zlatica
;
Crupi Giovanni
;
Caddemi Alina
;
Markovic Vera
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
73.
Electromagnetic propagation in graphene in the mm-wave frequency range
机译:
石墨烯在毫米波频率范围内的电磁传播
作者:
Neculoiu Dan
;
Deligeorgis George
;
Dragoman Mircea
;
Dragoman Daniela
;
Konstantinidis George
;
Cisman Alina
;
Plana Robert
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
74.
Hydrogen terminated diamond MESFETs: New technology for RF power applications
机译:
氢封金刚石MESFET:RF功率应用的新技术
作者:
Calvani P.
;
Conte G.
;
Dominijanni D.
;
Giovine E.
;
Pasciuto B.
;
Limiti E.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
75.
Power detectors and envelope detectors in mHEMT MMIC-technology for millimeterwave applications
机译:
mHEMT MMIC技术中的功率检测器和包络检测器,用于毫米波应用
作者:
Zirath Herbert
;
(Simon) He Zhongxia
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
MMIC microwave envelope detector;
MMIC microwave power detector;
76.
Dependence of FET/HEMT reliability on substrate thickness and gate length
机译:
FET / HEMT可靠性对衬底厚度和栅极长度的依赖性
作者:
Darwish Ali M.
;
Hung H. Alfred
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
77.
A compact S Band 100W integrated gallium nitride multistage power amplifier
机译:
紧凑的S Band 100W集成氮化镓多级功率放大器
作者:
Poulton Matthew
;
Martin Jay
;
Martin Jason
;
Aichele David
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
78.
Development of integrated submillimeter wave diodes for sources and detectors
机译:
开发用于源和探测器的集成亚毫米波二极管
作者:
Stake Jan
;
Bryllert Tomas
;
Sobis Peter
;
Tang Aik-Yean
;
Zhao Huan
;
Vukusic Josip
;
Malko Aleksandra
;
Drakinskiy Vladimir
;
Olsen Arne Oistein
;
Emrich Anders
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
Frequency conversion;
III-V Semiconductors;
Terahertz detectors;
Terahertz sources;
Varactors;
diodes;
submillimeter wave;
79.
Graded channel concept for improving RF noise of an industrial 0.15 µm SOI CMOS technology
机译:
分级通道概念可改善工业0.15 µm SOI CMOS技术的RF噪声
作者:
Emam M.
;
Sakalas P.
;
Kumar A.
;
Ida J.
;
Vanhoenacker-Janvier D.
;
Raskin J.-P.
;
Danneville F.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
80.
A 60GHz-band Millimeter-wave active balun with ±5° phase error
机译:
具有±5°相位误差的60GHz频段毫米波有源巴伦
作者:
Jin Yanyu
;
Spirito Marco
;
Long John R.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
81.
Improved measurement-based extraction algorithm of a comprehensive extrinsic element network for large-size GaN HEMTs
机译:
改进的基于测量的大型GaN HEMT综合外在元素网络提取算法
作者:
Zamudio-Flores J. Alberto
;
Kompa Gunter
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
82.
Improvements in Schottky harmonic and sub-harmonic mixers for use up to 900GHz
机译:
改进了高达900GHz的肖特基谐波和次谐波混频器
作者:
Gibson Hugh J. E.
;
Walber Achim
;
Zimmermann Ralph
;
Alderman Byron
;
Cojocari Oleg
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
83.
Single-waveguide power-combined multipliers for next generation LO sources above 100 GHz
机译:
适用于100 GHz以上的下一代本振源的单波导功率组合乘法器
作者:
Siles Jose V.
;
Maestrini Alain
;
Davies Steven
;
Alderman Byron
;
Wang Hui
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
84.
High power frequency multipliers to 330 GHz
机译:
高达330 GHz的高功率倍频器
作者:
Alderman Byron
;
Henry Manju
;
Maestrini Alain
;
Grajal Jesus
;
Zimmermann Ralph
;
Sanghera Hosh
;
Wang Hui
;
Wilkinson Paul
;
Matheson David
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
85.
The Continuous Class-F Mode Power Amplifier
机译:
连续F类模式功率放大器
作者:
Carrubba V.
;
Clarke A. L.
;
Akmal M.
;
Lees J.
;
Benedikt J.
;
Tasker P. J.
;
Cripps S. C.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
86.
Current density dependence of minimum noise figure for gallium nitride HEMTs
机译:
氮化镓HEMT的最小噪声系数与电流密度的关系
作者:
Ross Tyler
;
Cormier Gabriel
;
Hettak Khelifa
;
Amaya Rony E.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
87.
Compact front end modules for WLAN applications with integrated passive devices using selectively anodized aluminum substrate
机译:
紧凑的前端模块,用于WLAN应用,具有集成的无源设备,使用选择性阳极氧化铝基板
作者:
Yu Je-In
;
Yook Jong-Min
;
Park Jun-Chul
;
Kim Cheol-Ho
;
Kwon Young-Se
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
88.
CMOS compatible medium voltage LDMOS transistors for wireless applications up to 5.8 GHz
机译:
CMOS兼容的中压LDMOS晶体管,用于高达5.8 GHz的无线应用
作者:
Gruner Daniel
;
Sorge Roland
;
Bengtsson Olof
;
Boeck Georg
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
89.
Plasmonics for beam engineering
机译:
束工程等离子
作者:
Capasso Federico
;
Yu Nanfang
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
90.
Extraction of parametric circuit models from scattering parameters of passive RF components
机译:
从无源射频组件的散射参数中提取参数电路模型
作者:
Triverio Piero
;
Nakhla Michel
;
Grivet-Talocia Stefano
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
91.
A Ka band balanced amplifier with six-port power divider
机译:
具有六端口功率分配器的Ka频段平衡放大器
作者:
Kiumarsi Hamid
;
Abdipour Abdolali
;
Abkenari Mehdi Rezvani
;
Moradi Gholamreza
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
92.
Trapping related degradation effects in AlGaN/GaN HEMT
机译:
与陷阱有关的AlGaN / GaN HEMT中的降解效应
作者:
Astre G.
;
Tartarin J. G.
;
Lambert B.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
93.
Low power analog front-end circuits in 130-nm CMOS for multi-standard zero-IF receivers
机译:
用于多标准零中频接收器的130nm CMOS低功耗模拟前端电路
作者:
Jang Seunghyun
;
Lee Junsang
;
Choi Joongho
;
Lee Kwang-Chun
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
94.
Nonlinear model of InP/GaAsSb/InP DHBT process for design of a Q-Band MMIC oscillator
机译:
用于Q波段MMIC振荡器设计的InP / GaAsSb / InP DHBT过程的非线性模型
作者:
Laurent S.
;
Callet G.
;
Nallatamby J. C.
;
Prigent M.
;
Nodjiadjim V.
;
Riet M.
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
95.
Distributed modeling of layout parasitics effects in CMOS power devices
机译:
CMOS功率器件中布局寄生效应的分布式建模
作者:
Chan Doris A.
;
Feng Milton
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
96.
Conformai faraday cage micro-coaxial shielding for combined optimization of routing distribution and EM coupling reduction
机译:
Conformai法拉第笼微同轴屏蔽,用于优化布线分布和减少电磁耦合
作者:
Tesson Olivier
;
Wane Sidina
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
97.
A high efficiency and multi-band/multi-mode power amplifier using a distributed second harmonic termination
机译:
使用分布式二次谐波终端的高效多频带/多模式功率放大器
作者:
Kim Jangheon
;
Mkadem Farouk
;
Boumaiza Slim
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
98.
An X-band, 23.8-dBm fully integrated power amplifier with 25.8 PAE in 0.18-µm CMOS technology
机译:
X波段23.8 dBm全集成功率放大器,采用0.18 µm CMOS技术的PAE为25.8%
作者:
Chi Ping-Sung
;
Tsai Zuo-Min
;
Kuo Jing-Lin
;
Lin Kun-You
;
Wang Huei
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
关键词:
CMOSFET power amplifiers;
X-band;
99.
A broadband, efficient, overdriven class-J RF power amplifier for burst mode operation
机译:
宽带,高效,过驱动的J类RF功率放大器,用于突发模式操作
作者:
Parveg Dristy Rahul
;
Singerl Peter
;
Wiesbauer Andreas
;
Nemati Hossein Mashad
;
Fager Christian
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
100.
A DC-4 GHz 270Ω differential SiGe low-noise amplifier for cryogenic applications
机译:
适用于低温应用的DC-4 GHz270Ω差分SiGe低噪声放大器
作者:
Bardin Joseph C.
;
Weinreb Sander
会议名称:
《5th European Microwave Integrated Circuits Conference》
|
2010年
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