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Ideal rectangular cross-section Si-Fin channel double-gate MOSFETs fabricated using orientation-dependent wet etching

机译：使用与方向有关的湿法刻蚀制造的理想矩形截面Si-Fin沟道双栅MOSFET

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Ultranarrow and ideal rectangular cross section silicon(Si)-Fin channel double-gate MOSFETs (FXMOSFETs) have successfully been fabricated for the first time using [110]-oriented silicon-on-insulator (SOI) wafers and orientation-dependent wet etching. The transconductance (g/sub m/) normalized by 2/spl times/(Fin height) is found to be as high as 700 /spl mu/S//spl mu/m at V/sub d/=1 V in the fabricated 13-nm-thick and 82-nm-high Si- Fin channel double-gate MOSFET with a 105-nm gate length and a 2.2-nm gate oxide. The almost-ideal S-slope of 64 mV/decade is demonstrated in a 145-nm gate length device. These excellent results show that the Si-Fin channel with smooth [111]-oriented sidewalls is suitable to realize a high-performance FXMOSFET. The short-channel effects (SCEs) are effectively suppressed by reducing the Si-Fin thickness to 23 nm or less.
机译：首次成功地使用[110]取向绝缘体上硅（SOI）晶圆和依赖于方向的湿法刻蚀技术成功制造了超窄且理想的矩形截面硅（Si）-Fin沟道双栅MOSFET（FXMOSFET）。归一化为2 / spl次/（鳍高度）的跨导（g / sub m /）在V / sub d / = 1 V时高达700 / spl mu / S // spl mu / m。制造了13nm厚，82nm高的Si-Fin沟道双栅MOSFET，栅长为105nm，栅氧化层为2.2nm。在145 nm栅极长度的器件中证明了64 mV /十倍的理想S斜率。这些出色的结果表明，具有光滑的[111]取向侧壁的Si-Fin沟道适合于实现高性能FXMOSFET。通过将Si-Fin厚度减小到23 nm或更小，可以有效地抑制短沟道效应（SCE）。

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