Dielectric resolution enhancement coating technology (DiRECT) - a sub-90 nm space and hole patterning technology using 248-nm lithography and plasma-enhanced polymerization

Ming-Chung Liang; Hsin-Yi Tsai; Chia-Chi Chung; Cheng-Chen Hsueh; Chung H.; Chih-Yuan Lu

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【24h】

Dielectric resolution enhancement coating technology (DiRECT) - a sub-90 nm space and hole patterning technology using 248-nm lithography and plasma-enhanced polymerization

机译：介电分辨率增强涂层技术（DiRECT）-使用248 nm光刻技术和等离子增强聚合技术的低于90 nm的空间和孔图案化技术

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A plasma polymerization coating process named Dielectric Resolution Enhancement Coating Technology (DiRECT) is proposed to shrink critical dimensions (CDs) of space and hole patterns. Fluorocarbon plasmas are used as the precursors to coat a polymer layer on the patterned photo-resist. By adding only one processing step, we are able to shrink poly space and contact hole to sub-90 nm-level using 248-nm lithography. The results of our extensive tests have demonstrated the production-worthiness of this technique for its consistent lot-to-lot repeatability, tight within-wafer CD uniformity, and low defect level.

机译：提出了一种称为介电分辨率增强涂层技术（DiRECT）的等离子体聚合涂层工艺，以缩小空间和孔图案的临界尺寸（CD）。碳氟化合物等离子体用作在图案化的光刻胶上涂覆聚合物层的前驱物。仅需增加一个处理步骤，就可以使用248 nm光刻技术将多晶空间和接触孔缩小到90 nm以下。我们广泛测试的结果证明了该技术的生产价值，因为它具有一致的批间重复性，紧密的晶片内CD均匀性和低缺陷水平。

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来源
《IEEE Electron Device Letters》 |2003年第9期|p.562-564|共3页
作者
Ming-Chung Liang; Hsin-Yi Tsai; Chia-Chi Chung; Cheng-Chen Hsueh; Chung H.; Chih-Yuan Lu;
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作者单位

Technol. Dev. Center, Macronix Int. Co. Ltd., Hsinchu, Taiwan;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
ultraviolet lithography; polymerisation; plasma materials processing; dielectric resolution enhancement coating technology; DiRECT; poly space pattern; contact hole pattern; DUV lithography; fluorocarbon plasma polymerization; photoresist; CD shrinka;

机译：紫外线光刻聚合;等离子材料加工;介电分辨率增强涂层技术;直接;多边形空间模式接触孔图案;DUV光刻;碳氟化合物等离子体聚合;光刻胶CD收缩;

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