Nonvolatile Nanoelectromechanical Memory Switches for Low-Power and High-Speed Field-Programmable Gate Arrays

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• 来源
  《Electron Devices, IEEE Transactions on》 |2015年第2期|673-679|共7页
• 作者

  Kim Y.J.; Choi W.Y.;

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• 作者单位

  Department of Electronic Engineering, Sogang University, Seoul, Korea;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Energy consumption; Field programmable gate arrays; Logic gates; MOSFET; Nonvolatile memory; Relays; Switches; Adhesion force; nanoelectromechanical (NEM) memory switch; nonvolatile operation; reconfigurable logic; reconfigurable logic.;

  机译：能耗;现场可编程门阵列;逻辑门;MOSFET;非易失性存储器;继电器;开关;附着力;纳米机电（NEM）存储器开关;非易失性操作;可重配置逻辑;可重配置逻辑;