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High-Frequency Ballistic Transport Phenomena in Schottky Barrier CNTFETs

机译：肖特基势垒CNTFET中的高频弹道传输现象

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The effective-mass Schrödinger equation is solved directly for the wave functions to explore the steady state and the time-dependent quantum–ballistic transport in Schottky barrier carbon nanotube (CNT) field-effect transistors (FETs). The employed contact parameters allow for discontinuities of the effective mass at the metal–CNT interface, and carefully chosen boundary conditions minimize spurious reflections at the simulation domain boundaries. Two-port $Y$-parameters of a selected device structure are computed and qualitatively explained with the time dependence of coherent quantum–ballistic charge injection. The finite escape times of the charge carriers in an open quantum system are identified for determining the inertial response to high-frequency terminal signals. Since the escape times depend on the shape of the Schottky barriers, the latter contribute to the dynamic behavior of ballistic CNTFETs.
机译：直接求解有效质量的Schrödinger方程的波函数，以探索肖特基势垒碳纳米管（CNT）场效应晶体管（FET）的稳态和时间相关的量子弹道传输。所采用的接触参数可以使金属-CNT界面处的有效质量不连续，并且精心选择的边界条件可以最大程度地减小模拟域边界处的杂散反射。用相干量子弹道电荷注入的时间依赖性来计算和定性解释所选器件结构的两端口$ Y $参数。确定开放量子系统中载流子的有限逸出时间，以确定对高频终端信号的惯性响应。由于逸出时间取决于肖特基势垒的形状，因此后者有助于弹道CNTFET的动态行为。

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