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首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Electron Devices >Tantalum nitride-p-silicon high-voltage Schottky diodes
【24h】

Tantalum nitride-p-silicon high-voltage Schottky diodes

机译：氮化钽-p-硅高压肖特基二极管

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Rectifying contacts between TaN and p-silicon with very high reverse breakdown voltage (V/sub BR/ <700 V) without using any guard ring have been realized. Barrier heights of TaN to both p-type silicon and n-type silicon have been measured at 0.68 and 0.48 eV, respectively. The breakdown voltage V/sub BR/ of TaN to p-silicon diodes, as deposited, is approximately 400 V and decreases to less than 200 V after annealing in hydrogen at 450 degrees C for 30 min. On the other hand, annealing in a nitrogen ambient at 450 degrees C for 30 min. increases the V/sub BR/ of these diodes to more than 700 V. An explanation for the difference in V/sub BR/ is sought in terms of the structural/chemical changes introduced at the interface by the annealing process. The high forward drop of TaN to p-silicon diodes (<1 V at 10 mA) results from the high substrate resistance and the probe contact resistance, and it is being optimized.
机译：在不使用任何保护环的情况下，已经实现了具有非常高的反向击穿电压（V / sub BR / <700 V）的TaN和p硅之间的整流接触。 TaN对p型硅和n型硅的势垒高度已分别测量为0.68和0.48 eV。沉积的TaN对p硅二极管的击穿电压V / sub BR /约为400 V，并在450摄氏度的氢气中退火30分钟后降至200 V以下。另一方面，在氮气环境中在450摄氏度下退火30分钟。将这些二极管的V / sub BR /增大到700 V以上。关于V / sub BR /的差异的解释是根据退火过程在界面处引入的结构/化学变化来进行的。 TaN到p硅二极管的正向压降很高（在10 mA时<1 V）是由于高衬底电阻和探针接触电阻引起的，并且正在优化中。

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