...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Elektronika >WPŁYW PARAMETRÓW PROCESU TECHNOLOGICZNEGO NA WŁAŚCIWOŚCI CIENKICH WARSTW NA BAZIE MIEDZI
【24h】

WPŁYW PARAMETRÓW PROCESU TECHNOLOGICZNEGO NA WŁAŚCIWOŚCI CIENKICH WARSTW NA BAZIE MIEDZI

机译：工艺工艺参数对基于铜的薄层性能的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

W pracy przedstawiona została analiza wpływu parametrów procesu technologicznego wytwarzania cienkich warstw tlenków miedzi na ich właściwości strukturalne, optyczne oraz elektryczne. Badaniu poddane zostały warstwy wytworzone za pomocą metody stałoprądowego rozpylania magnetronowego w atmosferze mieszaniny O_2:Ar o zawartości O_2 wynoszącej odpowiednio 75% oraz 100%. Właściwości strukturalne badanych warstw określone zostały na podstawie badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej. Właściwości optyczne scharakteryzowano na podstawie pomiaru transmisji światła, a elektryczne na podstawie charakterystyk prądowo-napięciowych. Badanie metodą XRD wykazało, że uzyskano warstwy CuO (tlenku miedzi II) w postaci tenorytu o średnim rozmiarze krystalitów wynoszącym około 13 nm. Badanie właściwości optycznych wykazało, że nie ma różnicy w transmisji światła dla promieniowania krótszego niż około 600 nm. Nieznaczne różnice zauważalne między warstwami widoczne są powyżej tej długości. Średnia wartość transmisji dla długości fali λ = 550 nm wynosiła 35%. Badanie właściwości elektrycznych wykazało, że warstwa naniesiona w mieszaninie O_2:Ar zawierającej 75% O_2 miała rezystancję wynoszącą około 17 kΩ podczas gdy rezystancja warstwy wytworzonej w atmosferze wyłącznie tlenowej wynosiła około 5 kΩ.%The paper presents an analysis of the impact of the parameters of the technological process of copper oxides thin films on their structural, optical and electrical properties. Investigated films were deposited using DC magnetron sputtering method in the atmosphere of the O_2:Ar mixture with an O_2 content of 75% and 100% respectively. The structural properties of the investigated films were determined based on the X-ray diffraction method. Optical properties were characterized on the basis of light transmission measurements, and electrical properties based on current--voltage characteristics. The XRD showed that CuO (copper oxide II) films were obtained in the form of a tenorite with an average crystallite size of about 13 nm. The investigation of the optical properties showed that there is no difference in light transmission for wavelength shorter than approximately 600 nm. Slight differences between the layers are visible above this length. The average transmission value at wavelength λ = 550 nm was 35%, so these layers can be used in transparent electronics. Testing of electrical properties showed that the layer deposited in the O_2:Ar gas mixture containing 75% of O_2 had a resistance of approximately 17 kΩ, when the resistance of the layer prepared in a pure oxygen atmosphere of approximately 5 kΩ.
机译：本文介绍了用于生产氧化铜薄层的工艺参数对其结构，光学和电学性质的影响的分析。测试了分别在O_2含量为75％和100％的O_2：Ar混合物的气氛中经受DC磁控溅射法的层。在X射线衍射测试的基础上确定测试层的结构性质。光学性质基于光透射测量来表征，并且电性质基于电流-电压特性来表征。 XRD检查表明，以球铁矿的形式获得了CuO（铜II）层，其平均微晶尺寸为约13nm。光学性质的检查表明，对于小于约600nm的辐射，光透射率没有差异。在此长度以上，可以看到各层之间的明显差异。波长λ＝ 550nm的平均透射值为35％。电学性能测试表明，在O_2：Ar含量为75％的O_2混合物中施加的层的电阻约为17kΩ，而在纯氧气气氛中产生的层的电阻约为5kΩ。％。本文对以下参数的影响进行了分析。铜氧化物薄膜的工艺过程对它们的结构，光学和电学性能都有影响。使用DC磁控溅射法在O_2含量分别为75％和100％的O_2：Ar混合物的气氛中沉积所研究的膜。基于X射线衍射法确定所研究的膜的结构性质。光学性质基于光透射测量进行表征，而电气性质基于电流-电压特性进行表征。 X射线衍射表明，获得了以球铁矿形式存在的CuO（氧化铜II）膜，其平均晶粒尺寸约为13nm。光学性质的研究表明，对于短于大约600 nm的波长，光透射率没有差异。在此长度以上，可以看到层之间的细微差别。波长λ= 550 nm时的平均透射值为35％，因此这些层可用于透明电子产品中。电性能测试表明，当在纯氧气氛中制备的层的电阻约为5kΩ时，沉积在包含75％O_2的O_2：Ar气体混合物中的层的电阻约为17kΩ。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号