Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu

Marek SUPRONIUK; Paweł KAMIŃSKI; Roman KOZŁOWSKI; Jarosław ŻELAZKO; Michał KWESTARZ; Michał PAWŁOWSKI

首页> 外文期刊>Przeglad Elektrotechniczny >Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu

【24h】

Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu

机译：模拟缺陷中心浓度对硅单晶电阻率的影响

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

We demonstrate the method of simulating the resistivity of monocrystalline silicon as a function concentrations of six kinds of defect centers with various properties. The potentialities of the simulator are exemplified by the results obtained for the nitrogen-doped high resistivity silicon single crystal before and after irradiation with high-energy neutrons.%Przedstawiono sposób symulacyjnego wyznaczania rezystywności monokrystalicznego krzemu w zależności od koncentracji sześciu rodzajów centrów defektowych o różnych właściwościach. Możliwości wykorzystania symulatora zademonstrowano na przykładzie wyników uzyskanych dla domieszkowanego azotem monokryształu krzemu o dużej rezystywności przed oraz po napromieniowaniu wysokoenergetycznymi neutronami.

机译：我们演示了模拟单晶硅的电阻率作为具有各种特性的六种缺陷中心的功能浓度的方法。通过用高能中子辐照之前和之后对于氮掺杂高电阻率硅单晶所获得的结果，可以举例说明模拟器的潜力。。在用高能中子辐照之前和之后，以具有高电阻率的氮掺杂硅单晶获得的结果为例，证明了使用模拟器的可能性。

著录项

来源
《Przeglad Elektrotechniczny》 |2014年第8期|226-229|共4页
作者
Marek SUPRONIUK; Paweł KAMIŃSKI; Roman KOZŁOWSKI; Jarosław ŻELAZKO; Michał KWESTARZ; Michał PAWŁOWSKI;
展开▼
作者单位

Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych, ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00 - 908 Warszawa 49;

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01 -919 Warszawa;

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01 -919 Warszawa;

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01 -919 Warszawa;

Topsil Semiconductor Materials S.A., ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa;

Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych, ul. Gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00 - 908 Warszawa 49;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 pol
中图分类
关键词
Si; rezystywność; centra defektowe; badania symulacyjne;

机译：电阻率缺陷中心;模拟测试;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Problemy metrologiczne związane z wyznaczaniem koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych o szerokiej przerwie energetycznej [J] . Marcin MICZUGA, Paweł KAMIŃSKI, Roman KOZŁOWSKI, Pomiary Automatyka Kontrola . 2011,第11期

机译：与确定具有宽能隙的高阻半导体中缺陷中心的浓度有关的计量问题
2. Analiza wpływu zmiennej rezystywności elektrycznej na pole termiczne szynoprzewodu cylindrycznego metodą funkcji Greena [J] . Jerzy GOŁĘBIOWSKI, Marek ZARĘBA Przeglad Elektrotechniczny . 2017,第6期

机译：格林函数法分析可变电阻率对圆柱母线热场的影响
3. Badania wpływu temperatury i wilgotności na rezystywność powierzchniową materiałów kompozytowych ekranujących pole elektromagnetyczne [J] . Jan ZIAJĄ, Krystian KRAWCZYK Przeglad Elektrotechniczny . 2013,第7期

机译：温湿度对屏蔽电磁场的复合材料表面电阻率的影响研究
4. MODELOWANIE WPLYWU ELEKTROD NAPIECIOWYCH NA WARTOSC STALEJ CZTEROELEKTRODOWYCH CZUJNIKOW KONDUKTOMETRYCZNYCH [C] . IMEKO IMEKO TC-1 Symposium . 2002

机译：附属电极对恒定鹌鹑电极电极传感器值的建模
5. Modelowanie wpływu parametrów eksploatacyjnych na stan naprężenia rur grubościennych w kotłach o parametrach nadkrytycznych [O] . Krzysztof Wacławiak, Jerzy Okrajni 2018

机译：模拟运行参数对超临界参数锅炉厚壁管应力的影响

Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅