In den letzten Jahren hat eine stürmische Entwicklung auf dem Gebiet der Leistungshalbleiterbauelemente stattgefunden. Das betrifft insbesondere die abschaltbaren Bauelemente. Neben ihrer immer größer werdenden Leistung sind neuartige Entwicklungen auf dem internationalen Markt erhältlich, z.B. der abschaltbare GTO-Thyristor (gate-turn-off-thyristor). Der Aufbau gleicht prinzipiell dem des konventionellen Thyristors und hat eine Vierschichtstruktur unterschiedlicher Leitfähigkeit (pnpn) (Bild 1). Unterschieden wird zwischen solchen mit 1. p-Emitter-Nebenschlüssen (Anodenshorts) (Bild la) und 2. Schwermetall-Dotierung (Bild lb).
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