...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Elektrie >Hydrophobiedynamik von sauberen Silikonelastomer-Oberflächen unter teilentladungsfreier Wechselfeldbelastung
【24h】

Hydrophobiedynamik von sauberen Silikonelastomer-Oberflächen unter teilentladungsfreier Wechselfeldbelastung

机译：局部放电交替场载下清洁有机硅弹性体表面的疏水动力学

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Für Silikonelastomere ist die Hydrophobie eine intrinsische Materialeigenschaft, die in der chemischen Struktur der Silikone begründet ist. Bisher richtet sich das Augenmerk der Untersuchungen auf die Belastung durch Teilentladungen, erschwert durch die vielen möglichen Wirkungsmechanismen, über die Teilentladungen auf eine Oberfläche direkt oder indirekt einwirken können. Die der Teilentladungen überlagerte Feldkomponente wird bisher außer Acht gelassen.Die vorgestellten Messergebnisse an Prüfkörpern, die eine teil-entladungsfreie Feldbelastung ermöglichen, zeigen deutlich, dass bereits allein ein elektrisches Feld zum Hydrophobieverlust der Silikonoberfläche führt. Dies muss einerseits Auswirkungen auf das Design von Silikonisolatoren haben, andererseits erleichtert es zukünftige systematische Untersuchungen von Hydrophobieverlust und -Wiederkehr, da die Belastung durch ein elektrisches Feld wesentlich genauer und reproduzierbarer eingestellt werden kann, als die Belastung durch Teilentladungen.
机译：对于硅氧烷弹性体，疏水性是一种内在材料特性，其在硅氧烷的化学结构中是合理的。到目前为止，重点是对部分放电负担的负担，通过众多可能的动作机制，可以通过表面放电直接或间接地行动的许多可能的动作机制。到目前为止，由部分放电叠加的磁场分量。所呈现的测量结果对测试体的测量结果，其能够局部放电场载荷，清楚地表明已经是单独的硅氧烷表面疏水丧失的电场。一方面，这一定对硅胶绝缘体的设计产生影响，另一方面，有助于未来的疏水性损失和恢复的系统调查，因为可以通过电场更准确地调节负荷而不是比该电场更准确和可再现通过部分放电负载。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号