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【24h】

Empfindlichkeitsgewinn integriert-optischer E-Feld-Sensoren durch ein balanciertes Sensorkonzept

机译：灵敏度通过平衡传感器概念增益集成光学电子场传感器

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Im Bereich der elektromagnetischen Verträglichkeit werden sowohl für Emissions- als auch für Suszeptibilitätsmessungen E-Feld-Sensoren benötigt. Integriert-optische E-Feld-Sensoren zeichnen sich im Vergleich zu konventionellen Sensoren sowohl durch den Wegfall metallischer Zuleitungen, als auch durch minimale räumliche Abmessungen aus. Somit werden bei integriert-optischen E-Feld-Sensoren die Feldstörungen verringert. Die theoretische Auflösungsgrenze eines integriertoptischen Sensorkonzeptes ist durch das Schrotrauschen des optischen Empfängers begrenzt. Messungen haben jedoch gezeigt, daß die erreichbare Empfindlichkeitsgrenze um ca. 35 dB höher liegt. Eine Ursache für diese Abweichung ist das relative Intensitätsrauschen (RIN) der Laserdiode. Zur Annäherung an die theoretische Auflösungsgrenze wird ein neues Sensorkonzept vorgestellt, bei dem das Meßsignal als Gegentaktsignal in zwei Ausgangsfasern zur Verfügung steht. Durch entsprechende Ansteuerung eines balancierten Empfängers kann somit der Signalpegel im Vergleich zu einem einfachen optischen Empfänger angehoben werden. Da das Laserrauschen in beiden Ausgangsfasern als Gleichtaktsignal auftritt, führt dieses Sensorkonzept gleichzeitig zu einer Reduzierung des Laserrauschens im optischen Empfänger. Dieser Beitrag zeigt sowohl die Funktionsweise, als auch das Potential des balancierten Sensorkonzeptes im Vergleich zu bestehenden Konzepten.
机译：在电磁兼容性领域中，发射和易感性测量需要E场传感器。与传统传感器以及最小空间尺寸相比，集成光学电子场传感器的特征在于金属引线。因此，在集成光学电子场传感器中，降低了现场障碍。集成光学传感器概念的理论分辨率限制受光学接收器的镜头噪声的限制。然而，测量表明，可实现的敏感性限制约为35 dB。该偏差的原因是激光二极管的相对强度噪声（RIN）。为了接近理论分辨率限制，提出了一种新的传感器概念，其中测量信号在两个起始纤维中的推挽信号中可用。通过适当地控制平衡接收器，可以与简单的光学接收器相比，可以提高信号电平。由于激光噪声在两个起始光纤中发生作为共模信号，因此该传感器概念同时导致光接收器中的激光噪声的降低。本文显示了与现有概念相比平衡传感器概念的功能和潜力。

著录项

  • 来源
    《Elektrie》 |2021年第9661期|4-10|共7页
  • 作者

    M. Schwerdt; J. Berger; K. Petermann;

  • 作者单位

    Institut für Hochfrequenztechnik Technische Universität Berlin;

    Institut für Hochfrequenztechnik Technische Universität Berlin;

    Institut für Hochfrequenztechnik Technische Universität Berlin;

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