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Empfindlichkeitsgewinn integriert-optischer E-Feld-Sensoren durch ein balanciertes Sensorkonzept

机译:通过平衡传感器概念将灵敏度增益集成到光学电场传感器中

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摘要

Im Bereich der elektromagnetischen Verträglichkeit werden sowohl für Emissions- als auch für Suszeptibilitätsmessungen E-Feld-Sensoren benötigt. Integriert-optische E-Feld-Sensoren zeichnen sich im Vergleich zu konventionellen Sensoren sowohl durch den Wegfall metallischer Zuleitungen, als auch durch minimale räumliche Abmessungen aus. Somit werden bei integriert-optischen E-Feld-Sensoren die Feldstörungen verringert. Die theoretische Auflösungsgrenze eines integriertoptischen Sensorkonzeptes ist durch das Schrotrauschen des optischen Empfängers begrenzt. Messungen haben jedoch gezeigt, daß die erreichbare Empfindlichkeitsgrenze um ca. 35 dB höher liegt. Eine Ursache für diese Abweichung ist das relative Intensitätsrauschen (RIN) der Laserdiode. Zur Annäherung an die theoretische Auflösungsgrenze wird ein neues Sensorkonzept vorgestellt, bei dem das Meßsignal als Gegentaktsignal in zwei Ausgangsfasern zur Verfügung steht. Durch entsprechende Ansteuerung eines balancierten Empfängers kann somit der Signalpegel im Vergleich zu einem einfachen optischen Empfänger angehoben werden. Da das Laserrauschen in beiden Ausgangsfasern als Gleichtaktsignal auftritt, führt dieses Sensorkonzept gleichzeitig zu einer Reduzierung des Laserrauschens im optischen Empfänger. Dieser Beitrag zeigt sowohl die Funktionsweise, als auch das Potential des balancierten Sensorkonzeptes im Vergleich zu bestehenden Konzepten.
机译:在电磁兼容性领域,发射和磁化率测量都需要电场传感器。与常规传感器相比,集成式光学电场传感器的特点是省去了金属引线,并且具有最小的空间尺寸。这减少了集成光学电场传感器中的磁场干扰。集成光学传感器概念的理论分辨率极限受到光学接收器散粒噪声的限制。然而,测量表明,可达到的灵敏度极限高出约35 dB。产生这种偏差的原因之一是激光二极管的相对强度噪声(RIN)。为了接近理论分辨率极限,提出了一种新的传感器概念,其中测量信号可作为两个输出光纤中的推挽信号使用。通过相应地控制平衡接收机,与简单的光接收机相比,可以提高信号电平。由于激光噪声在两个输出光纤中均作为共模信号出现,因此这种传感器概念还可以降低光接收器中的激光噪声。与现有概念相比,本文展示了平衡传感器概念的功能和潜力。

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  • 来源
    《Elektrie》 |2017年第4663期|4-10|共7页
  • 作者单位

    Institut für Hochfrequenztechnik, Technische Universität Berlin;

    Institut für Hochfrequenztechnik, Technische Universität Berlin;

    Institut für Hochfrequenztechnik, Technische Universität Berlin;

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