Mid-infrared InSb and InAlSb diode lasers

Ashley T.; Beswick J.

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Mid-infrared InSb and InAlSb diode lasers

机译：中红外InSb和InAlSb二极管激光器

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Diode lasers with an In/sub 0.948/Al/sub 0.052/Sb gain region have been grown by molecular beam epitaxy onto nominally matched InGaSb substrates, and onto mismatched InSb substrates. The former had a stimulated emission wavelength of 3.9 /spl mu/m at 77 K, with the threshold current density being 140 A cm/sup -2/ and maximum operating temperature 165 K. The latter had a stimulated emission wavelength of 3.6 /spl mu/m at 77 K, with the threshold current density being 417 A cm/sup -2/ and maximum operating temperature 160 K.

机译：具有In / sub 0.948 / Al / sub 0.052 / Sb增益区域的二极管激光器已经通过分子束外延生长在名义上匹配的InGaSb衬底上以及不匹配的InSb衬底上。前者在77 K下的激发发射波长为3.9 / spl mu / m，阈值电流密度为140 A cm / sup -2 /，最高工作温度为165K。后者的激发发射波长为3.6 / spl在77 K时为mu / m，阈值电流密度为417 A cm / sup -2 /，最高工作温度为160K。

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来源
《IEE Proceedings. Part J》 |1998年第5期|P.265-267|共3页
作者
Ashley T.; Beswick J.;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类光电子技术、激光技术;电工技术;
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