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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A Comprehensive Analysis of IMD Behavior in RF CMOS Power Amplifiers
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A Comprehensive Analysis of IMD Behavior in RF CMOS Power Amplifiers

机译：RF CMOS功率放大器中IMD行为的综合分析

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This paper presents a comprehensive analysis of nonlinear intermodulation distortion (IMD) behavior in RF CMOS power amplifiers (PAs). Separate analyses are presented for small- and large-signal operation regimes. Especially, a new, simple, large-signal behavioral IMD analysis method is presented that allows the mechanisms dominant for IMD generation to be identified and their individual contributions to be studied. By combining these analyses, typical IMD versus input power characteristics of MOSFET PAs can be predicted and understood for different classes of operation. Various measurements made on a 950-MHz RF CMOS PA are used to demonstrate typical behavior and validate the proposed theory. Prediction of IMD using a standard CMOS transistor model is also evaluated and is shown to give good agreement with the measurements.
机译：本文对RF CMOS功率放大器（PA）中的非线性互调失真（IMD）行为进行了全面分析。分别针对小信号和大信号运行机制进行了分析。特别是，提出了一种新的，简单的，大信号行为的IMD分析方法，该方法可以识别IMD生成的主要机制，并可以研究其个体贡献。通过结合这些分析，可以预测和理解MOSFET PA的典型IMD与输入功率特性，以了解不同的操作类别。在950-MHz RF CMOS PA上进行的各种测量被用来证明典型行为并验证所提出的理论。还评估了使用标准CMOS晶体管模型对IMD的预测，结果表明该测量与测量值具有很好的一致性。

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