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首页> 外文期刊>IEEE Microwave and Guided Wave Letters >Characterization of planar antennas fabricated on GaAs epilayers containing As clusters for picosecond short-pulse applications
【24h】

Characterization of planar antennas fabricated on GaAs epilayers containing As clusters for picosecond short-pulse applications

机译：用于皮秒短脉冲应用的包含As簇的GaAs外延层上制造的平面天线的特性

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Coplanar-strip horn antennas are fabricated on GaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE) at substrate temperatures of 220, 250, and 270 degrees C. These antennas are switched photoconductively using a picosecond laser to generate and detect freely propagating bursts of electromagnetic radiation. The dependence of the antenna performance on substrate growth temperature is assessed and is also compared with the performance of like antennas fabricated on oxygen-bombarded silicon on sapphire (SOS). It is shown that in the picosecond measurements the radiated pulse duration is not very sensitive to substrate growth temperature but the radiated intensity is highly sensitive to this parameter.
机译：共平面条纹喇叭天线是在分子束外延（MBE）于220、250和270摄氏度的衬底温度下生长的GaAs上制造的。这些天线使用皮秒激光进行光电导切换，以产生和检测自由传播的电磁辐射。评估了天线性能对衬底生长温度的依赖性，并将其与在蓝宝石氧轰击硅上制造的类似天线的性能进行了比较（SOS）。结果表明，在皮秒测量中，辐射脉冲的持续时间对衬底生长温度不是很敏感，但是辐射强度对此参数高度敏感。

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