Extraction and modeling methods for FET devices

Follmann R.; Borkes J.

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Extraction and modeling methods for FET devices

机译：FET器件的提取和建模方法

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The proposed method is based on spline functions, takes into account thermal and noise effects, allows a scaling of different FET device geometries, and is available in commercial CAD software like Agilents Series IV or ADS.

机译：所提出的方法基于样条函数，考虑了热和噪声影响，可以缩放不同FET器件的几何尺寸，并且可在商业CAD软件中使用，例如Agilent IV系列或ADS。

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来源
《IEEE microwave magazine》 |2000年第3期|P.49-55|共7页
作者
Follmann R.; Borkes J.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类电工技术;
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