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Thin-Film-Flip-Chip LEDs Grown on Si Substrate Using Wafer-Level Chip-Scale Package

机译：使用晶圆级芯片级封装在Si基板上生长的薄膜倒装芯片LED

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Demonstrated are visible GaN-based light-emitting diodes (LEDs) on economical large-area Si substrates using an advanced device and packaging architecture to improve optical output power, while reducing manufacturing costs. The process employs thin-film-flip-chip devices and wafer-level chip-scale packages and uses through-Si-via substrate and anisotropic conductive film for bonding. The improved curvature control region is applied in the epitaxial growth of the LED structure on a Si substrate to achieve flat wafers for epitaxial structures at room temperature, which is critical for wafer-level bonding. External quantum efficiency and light-output power at 350 mA increase by $sim 12$ % compared with those of conventional flip-chip LEDs grown on a sapphire substrate. The devices also show a reverse-bias leakage current failure rate of <10%.
机译：展示的是使用先进的器件和封装结构在经济的大面积Si衬底上的可见GaN基发光二极管（LED），以提高光输出功率，同时降低制造成本。该工艺采用薄膜倒装芯片器件和晶圆级芯片级封装，并使用硅通孔衬底和各向异性导电膜进行键合。将改进的曲率控制区域应用于Si基板上LED结构的外延生长中，以在室温下获得用于外延结构的扁平晶圆，这对于晶圆级键合至关重要。与在蓝宝石衬底上生长的常规倒装芯片LED相比，在350 mA下的外部量子效率和光输出功率增加了sim $ 12％。该器件还显示出小于10％的反向偏置泄漏电流故障率。

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