Molecular beam epitaxy-grown separate confinement buried heterostructure PbEuSeTe-PbTe diode lasers

Feit Z.; Kostyk D.

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Molecular beam epitaxy-grown separate confinement buried heterostructure PbEuSeTe-PbTe diode lasers

机译：分子束外延生长的单独禁闭掩埋异质结构PbEuSeTe-PbTe二极管激光器

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Separate confinement buried heterostructure (SCBH) tunable PbEuSeTe-PbTe diode lasers were fabricated by molecular beam epitaxy for the first time. Continuous wave (CW) operating temperature of 215 K was realized, which is the highest CW operating temperature ever reported for lead-chalcogenide diode lasers. Preliminary results show a significant improvement in threshold current and emission power. Exceptionally low threshold currents of 2.5 mA at 120 K, 76 mA at 180 K, and 252 mA at 200 K were measured. The temperature tuning range of the SCBH diode laser spans between 6.49 /spl mu/m at 20 K to 4.19 /spl mu/m at 215 K.

机译：首次通过分子束外延制造了单独的局限掩埋异质结构（SCBH）可调谐PbEuSeTe-PbTe二极管激光器。实现了215 K的连续波（CW）工作温度，这是硫族硫铅二极管激光器所报道的最高CW工作温度。初步结果表明，阈值电流和发射功率有了显着提高。测量了120 K下2.5 mA，180 K下76 mA和200 K下252 mA的异常低阈值电流。 SCBH二极管激光器的温度调节范围在20 K时为6.49 / spl mu / m至215 K时为4.19 / spl mu / m。

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来源
《IEEE Photonics Technology Letters》 |1995年第12期|P.1403-1405|共3页
作者
Feit Z.; Kostyk D.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类光电子技术、激光技术;
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Molecular beam epitaxy-grown separate confinement buried heterostructure PbEuSeTe-PbTe diode lasers

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