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New RTD-bootstrapped current and voltage references. II.Mirror-based references

机译:新的RTD自举电流和电压基准。二,基于镜像的引用

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摘要

For pt.I see ibid., vol.41, no.11, p.740-43, 1994. New current and voltage references are proposed which utilize depletion-mode field effect transistors and resonant tunneling diodes (RTDs) in a negative, inverting current mirror. High-fidelity SPICE simulation of a double-cascode reference implementation suggests that supply rejection is of the same order as that of the best existing all-MESFET references
机译:对于pt.I,见同上,第41卷,第11期,第740-43页,1994年。提出了新的电流和电压基准,它们在负极上利用了耗尽型场效应晶体管和谐振隧穿二极管(RTD),倒置电流镜。双级联参考实现的高保真SPICE仿真表明,电源抑制与现有最佳的全MESFET参考具有相同的数量级

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