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首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Magnetics >Reduction of Writing Field Distribution in a Magnetic Random Access Memory With Toggle Switching
【24h】

Reduction of Writing Field Distribution in a Magnetic Random Access Memory With Toggle Switching

机译：用拨动开关减少磁性随机存取存储器中的写入场分布

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We have investigated the distribution of the flop field, which represents writing field in a toggle magnetic random access memory (MRAM). We analyzed the factors of the distribution by dividing them into the 45 $^{circ}$ and 135$^{circ}$ directions in ($H_{x}$ , $H_{y}$) coordinates. We found that the distribution in the 135$^{circ}$ direction is mainly caused by stress-induced anisotropy and can be effectively suppressed by adopting materials that maintain low magnetostriction even after the fabrication process. On the other hand, we found that the distribution in the 45$^{circ}$ direction depends on the texture and atomic structure of the ferromagnetic layers, and that low distribution can be attained when the ferromagnetic layers are constructed from small crystalline grains or amorphous materials. We demonstrated a toggle MRAM with a distribution of the flop field only half that of the previously reported magnetic tunnel junction stack structure.
机译：我们已经研究了触发场的分布，该场表示在翻转磁性随机存取存储器（MRAM）中的写入场。我们通过将分布因子分成（$ H_ {x} $，$ H_ {y} $）坐标的45个$ ^ {circ} $和135 $ ^ {circ} $方向来分析分布因素。我们发现，在135 $ ^ circ方向上的分布主要是由应力引起的各向异性引起的，并且通过采用即使在制造过程之后仍保持低磁致伸缩的材料可以有效地抑制这种分布。另一方面，我们发现在45 $ ^ circ方向上的分布取决于铁磁层的织构和原子结构，当铁磁层由小晶粒或小晶粒构成时，可以获得较低的分布。无定形材料。我们展示了一个触发器MRAM，其触发器场的分布仅为以前报道的磁性隧道结堆叠结构的一半。

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