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包括同时刷新和读取或写入的动态随机存取存储器(DRAM)的电路、以及在这样的存储器中执行同时刷新和读取或写入的方法

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摘要

一种电路，包括：动态随机存取存储器，包括多个存储器单元；经由数据总线与所述存储器相连接的关联器件；存储器单元刷新装置，其中利用所述刷新装置，采用刷新访问来刷新存储器单元中的存储数据；经由所述数据总线，采用数据访问在关联器件和存储器单元之间交换数据，所述数据访问包括读取访问或写入访问，其中：所述电路包括冲突检查装置，该冲突检查装置对于给定的存储器单元，检测和通知对所述单元的第一类型的请求访问和对所述单元的第二类型的当前访问之间的冲突，所述第一类型是数据访问和刷新访问之一，所述第二类型是数据访问和刷新访问中的另一个。

著录项

公开/公告号CN102067232A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-18

原文格式PDF
申请/专利权人 NXP股份有限公司;
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申请/专利号CN200980122609.3
发明设计人鲁洛夫·赫尔曼·威尔姆·索尔特;
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申请日2009-06-17
分类号G11C11/406;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王波波
地址荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2023-12-18 02:26:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-11-27

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C11/406 申请公布日:20110518 申请日:20090617

发明专利申请公布后的驳回
2011-07-20

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/406 申请日:20090617

实质审查的生效
2011-05-18

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 包括同时刷新和读取或写入的动态随机存取存储器(DRAM)的电路、以及在这样的存储器中执行同时刷新和读取或写入的方法 [P] . 中国专利： CN102067232A . 2011-05-18
2. 用于在接收到包括混合的读取和写入命令的一系列命令时执行最优写入的线性记录设备及其执行方法和程序 [P] . 中国专利： CN103534759A . 2014-01-22
3. ELECTRICAL CIRCUIT COMPRISING A DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) WITH CONCURRENT REFRESH AND READ OR WRITE, AND METHOD TO PERFORM CONCURRENT REFRESH AND READ OR WRITE IN SUCH A MEMORY [P] . 韩国专利： KR20110018947A . 2011-02-24

机译：包括具有同时刷新和读或写的动态随机存取存储器（DRAM）的电路，以及在该存储器中执行同时刷新和读或写的方法
4. ELECTRICAL CIRCUIT COMPRISING A DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) WITH CONCURRENT REFRESH AND READ OR WRITE, AND METHOD TO PERFORM CONCURRENT REFRESH AND READ OR WRITE IN SUCH A MEMORY [P] . 世界知识产权组织专利： WO2009153736A1 . 2009-12-23

机译：包括具有同时刷新和读或写的动态随机存取存储器（DRAM）的电路，以及在该存储器中执行同时刷新和读或写的方法
5. For an output circuit with a double data rate operating dynamic random access memory (ddr dram), a with double data rate of operating a dynamic random access memory (ddr dram), a method for the clocked reading of data from at twice the data rate operating dynamic random access memory (ddr dram) and a method for providing a data - strobe - signal [P] . 德国专利： DE10084993T1 . 2002-08-01

机译：对于具有双倍数据速率运行动态随机存取存储器（ddr dram）的输出电路，具有双倍数据速率运行动态随机存取存储器（ddr dram）的输出电路，该方法用于从时钟中以两倍数据速率读取数据操作动态随机存取存储器（ddr dram）和提供数据选通信号的方法