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【24h】

Buffer-Layer Dependence of Interface Magnetic Anisotropy in Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler Alloy Ultrathin Films

机译：Co 2 Fe 0.4 Mn 0.6 Si Heusler合金超薄膜中界面磁各向异性的缓冲层依赖性

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Buffer-layer dependences of dead-layer thickness, saturation magnetization (Ms), and interface magnetic anisotropy (Ks) were systematically investigated for Co2Fe0.4Mn0.6Si (CFMS) Heusler alloy ultrathin films with Pd, Ru, and Cr buffer layers. Perpendicular magnetization was only achieved in 0.6 and 0.8 nm-thick CFMS ultrathin films deposited on Pd buffer layer and annealed at 400 °C. At the optimum annealing temperature of 400 °C, Ks of 1.2 erg/cm2 was obtained for the Pd buffer layer, which was 3-6 times larger than those for Ru and Cr buffer layers. The difference in Ks probably originates from the interdiffusion and different crystallized compounds at the interface between Pd (Ru, Cr) and CFMS layers.
机译：系统研究了Co 2 Fe 0.4 <的死层厚度，饱和磁化强度（Ms）和界面磁各向异性（K s ）的缓冲层依赖性。 /sub>Mn0.6Si（CFMS）具有Pd，Ru和Cr缓冲层的Heusler合金超薄膜。垂直磁化仅在沉积在Pd缓冲层上并在400°C退火的0.6和0.8 nm厚的CFMS超薄膜中实现。在400℃的最佳退火温度下，Pd缓冲层的Ks为1.2 erg / cm 2 ，比Ru和Cr缓冲层的Ks大3-6倍。 Ks的差异可能源自Pd（Ru，Cr）和CFMS层之间界面的相互扩散和不同的结晶化合物。

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