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【24h】

Strain engineering of magnetic anisotropy: The epitaxial growth of cobalt -manganese -gallium Heusler alloy films on III-V semiconductors

机译:磁各向异性的应变工程:III-V族半导体上钴-锰-镓赫斯勒合金膜的外延生长

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著录项

  • 作者

    Carr, David Michael;

  • 作者单位

    University of Minnesota;

  • 授予单位 University of Minnesota;
  • 学科
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 2004
  • 页码 168 p.
  • 总页数 168
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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