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III－V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件

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一种III－V族化合物半导体外延层,其上部区具有倾斜角至多为100秒并且/或者其扭转角至多为100秒的晶体结构。用掩模外延生长该层,其中该掩模满足如下等式(1):h≥(w/2)tan θ ……(1)其中“θ”是在外延生长时的III－V族化合物半导体层刻面结构的基角;“h”是掩模的厚度;“w”是掩模下层的开口宽度,并且该开口宽度被限定在与基底层表面和刻面结构的侧面垂直的平面所包含的方向上。

著录项

公开/公告号CN1374683A

专利类型发明专利
公开/公告日2002-10-16

原文格式PDF
申请/专利权人日本电气株式会社;
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申请/专利号CN02106903.4
发明设计人仓本大;砂川晴夫;
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申请日2002-03-06
分类号H01L21/20;H01L21/205;
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人穆德骏;方挺
地址日本东京
入库时间 2023-12-17 14:27:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2005-08-24

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2003-01-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2002-10-16

公开

公开
2002-06-19

实质审查的生效

实质审查的生效

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