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砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9)

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2014年9月，德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道，他们采用SBT研制的四结替层GaInP／GaAs／／GaInPAs／GaInAs聚光电池在324倍AM1．5D光强下，达到了当前国际最高电池效率46．5％（5．42mm2）。

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来源
《太阳能》 |2016年第2期|12-13|共2页
作者
向贤碧; 廖显伯;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体; 太阳电池; GaInP/GaAs; 砷化镓; 应用; GaInAs; 太阳能系统; 电池效率;

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