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首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques >WCDMA Direct-Conversion Receiver Front-End Comparison in RF-CMOS and SiGe BiCMOS
【24h】

WCDMA Direct-Conversion Receiver Front-End Comparison in RF-CMOS and SiGe BiCMOS

机译：RF-CMOS和SiGe BiCMOS中的WCDMA直接转换接收器前端比较

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Wide-band code-division multiple-access direct-conversion receiver front-ends have been implemented in both 0.25-μm RF-CMOS and SiGe BiCMOS technologies. These circuits have been designed for the same application, radio architecture, and system specifications, allowing relevant comparisons to be made. The front-ends include a bypassable low-noise amplifier, a quadrature downconverter, baseband variable-gain amplifiers, and a local-oscillator frequency divider with output buffers. At 24.5 mA of total current consumption from a 2.7-3.3-V supply, the CMOS front-end has a noise figure of 5.3 dB, in-band third-order intercept point (IIP3) and second-order intercept point (IIP2) of -14 and +20.7 dBm, respectively, and out-of-band IIP3 and IIP2 of >+1.2 and +69 dBm, respectively. Compared to an SiGe front-end consuming 22 mA, the CMOS circuit has a 2-dB higher noise figure, comparable out-of-band linearity, 3-dB higher in-band IIP3, 12-dB lower in-band IIP2, and 7-dB higher LO-to-RF leakage.
机译：宽带码分多址直接转换接收器前端已在0.25μmRF-CMOS和SiGe BiCMOS技术中实现。这些电路已针对相同的应用，无线电架构和系统规格进行了设计，从而可以进行相关比较。前端包括一个可旁路的低噪声放大器，一个正交下变频器，基带可变增益放大器以及一个带有输出缓冲器的本地振荡器分频器。在2.7-3.3V电源下的总电流消耗为24.5 mA时，CMOS前端的噪声系数为5.3 dB，带内三阶截点（IIP3）和二阶截点（IIP2）为分别为-14和+20.7 dBm，带外IIP3和IIP2分别为> +1.2和+69 dBm。与消耗22 mA的SiGe前端相比，CMOS电路具有高2 dB的噪声系数，可比的带外线性度，高3 dB的带内IIP3，低12 dB的带内IIP2以及LO-RF泄漏增加了7dB。

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