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首页> 外文期刊>Nanotechnology, IEEE Transactions on >Deposition of Carbon Nanotubes on CMOS
【24h】

Deposition of Carbon Nanotubes on CMOS

机译：在CMOS上沉积碳纳米管

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We demonstrate the growth of multi wall and single wall carbon nanotubes (CNT) onto substrates containing commercial 1-μm CMOS integrated circuits. The low substrate temperature growth (450 °C) was achieved by using hot filament (1000 °C) to preheat the source gases (C$_2$H $_2$ and NH$_3$) and in situ mass spe-ctroscopy was used to identify the gas species present. Field effect transistors based on Single Walled Carbon Nanotube (SWNT) grown under such conditions were fabricated and examined. CNT growth was performed directly on the passivation layer of the CMOS integrated circuits. Individual n- and p-type CMOS transistors were compared before and after CNT growth. The transistors survive and operate after the CNT growth process, although small degradations are observed in the output current (for p-transistors) and leakage current (for both p- and n-type transistors).
机译：我们演示了多壁和单壁碳纳米管（CNT）在包含商业1-μmCMOS集成电路的基板上的生长。通过使用热灯丝（1000°C）预热原料气（C $ _2 $ H $ _2 $和NH $ _3 $）可以实现较低的基板温度增长（450°C），并使用了原位质谱以确定存在的气体种类。制造并检查了在这种条件下生长的基于单壁碳纳米管（SWNT）的场效应晶体管。 CNT生长直接在CMOS集成电路的钝化层上进行。在CNT生长之前和之后比较了各个n型和p型CMOS晶体管。尽管在输出电流（对于p晶体管）和泄漏电流（对于p型和n型晶体管）中观察到很小的退化，但是这些晶体管在CNT生长过程之后仍然可以正常工作。

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