Low-resistance ultrashallow extension formed by optimized flash lamp annealing

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• 来源
  《IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing》 |2003年第3期|p.417-422|共6页
• 作者

  Ito T.; Suguro K.; Tamura M.; Taniguchi T.; Ushiku Y.; Iinuma T.; Itani T.; Yoshioka M.; Owada T.; Imaoka Y.; Murayama H.; Kusuda T.;

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• 作者单位

  Process & Manuf. Eng. Center, Toshiba Corp., Yokohama, Japan;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  incoherent light annealing; temperature distribution; MOSFET; CMOS integrated circuits; integrated circuit manufacture; impurities; low-resistance ultrashallow extension; optimized flash lamp annealing; implanted impurities activation; implantation c;

  机译：非相干光退火;温度分布MOSFET;CMOS集成电路;集成电路制造;杂质低电阻超浅延伸;优化的闪光灯退火;注入杂质激活;植入c;