Low-resistance ultrashallow extension formed by optimized flash lamp annealing

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• 来源
  《IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing》 |2003年第3期|p.417-422|共6页
• 作者

  Ito T.; Suguro K.; Tamura M.; Taniguchi T.; Ushiku Y.; Iinuma T.; Itani T.; Yoshioka M.; Owada T.; Imaoka Y.; Murayama H.; Kusuda T.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;
• 关键词

  CMOS integrated circuits; MOSFET; impurities; incoherent light annealing; integrated circuit manufacture; temperature distribution; 1.5 V; 13 nm; 14 nm; implantation conditions; implanted impurities activation; junction depth; junction leakage; low-resistance ultrash;

  机译：CMOS集成电路;MOSFET;杂质;非相干光退火;集成电路制造;温度分布;1.5 V;13 nm;14 nm;注入条件;注入的杂质激活;结深度;结漏电流;低电阻Ultrash;