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首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control >Intrinsically switchable, high-Q ferroelectricon-silicon composite film bulk acoustic resonators
【24h】

Intrinsically switchable, high-Q ferroelectricon-silicon composite film bulk acoustic resonators

机译：本征可开关的高Q铁电硅复合膜体声谐振器

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This paper presents a voltage-controlled, highquality factor (Q) composite thin-film bulk acoustic resonator (FBAR) at 1.28 GHz. The composite FBAR consists of a thin layer of barium strontium titanate (BST) that is sandwiched between two electrodes deposited on a silicon-on-insulator (SOI) wafer. The BST layer, which has a strong electrostrictive effect, is used for electromechanical transduction by means of its voltage-induced piezoelectricity. The silicon layer, with its low mechanical loss, increases the Q of the resonator. The composite FBAR presented here exhibits Qs exceeding 800 with a resonance frequency and Q product (f ?? Q) of 1026 GHz.
机译：本文提出了一种在1.28 GHz电压控制的高质量因子（Q）复合薄膜体声波谐振器（FBAR）。复合FBAR由钛酸钡锶（BST）的薄层组成，该薄层夹在沉积在绝缘体上硅（SOI）晶片上的两个电极之间。 BST层具有很强的电致伸缩作用，其电压感应的压电性可用于机电转换。具有低机械损耗的硅层增加了谐振器的Q。此处介绍的复合FBAR在谐振频率下具有超过800的Qs和1026 GHz的Q乘积（f ?? Q）。

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