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首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control >A gaas phononic crystal with shallow noncylindrical holes
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A gaas phononic crystal with shallow noncylindrical holes

机译：具有浅非圆柱孔的gaas声子晶体

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A square lattice of shallow, noncylindrical holes in GaAs is shown to act as a phononic crystal (PnC) reflector. The holes are produced by wet-etching a GaAs substrate using a citric acid:H2O2 etching procedure and a photolithographed array pattern. Although nonuniform and asymmetric etch rates limit the depth and shape of the phononic crystal holes, the matrix acts as a PnC, as demonstrated by insertion loss measurements together with interferometric imaging of surface acoustic waves propagating on the GaAs surface. The measured vertical displacement induced by surface phonons compares favorably with finite-difference time-domain simulations of a PnC with rounded-square holes.
机译：砷化镓中浅的非圆柱孔的方阵显示为声子晶体（PnC）反射器。通过使用柠檬酸：H 2 O 2 蚀刻程序和光刻阵列图案对GaAs衬底进行湿法蚀刻来产生孔。尽管不均匀且不对称的刻蚀速率限制了声子晶体孔的深度和形状，但矩阵却充当了PnC，如插入损耗测量以及在GaAs表面上传播的声表面波的干涉成像所示。由表面声子引起的测得的垂直位移与带有圆角正方形孔的PnC的时域有限差分模拟相比具有优势。

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