...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告 >Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討
【24h】

Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討

机译：In-flash法制备1微米波段宽带InAs量子点及其在医学成像中的应用研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

近年、新たな医療イメージング技術として光干渉断層計(OCT)が注目されている。OCTは今後、より汎用的な医療イメージング装置として発展するために、さらなる高分解能化や高到達深度が求められている。OCTの高分解能化には広帯域な光源が必要となる。また、高到達深度を得るには、光源の発光中心波長を水やヘモグロビンによる吸収•散乱が少ない1.05μmにすることが望ましい。本研究は、発光材料に自己組織化InAs量子ドット(QD)を用いることで、上記のような光源作製を目指している。今回、MBE法によるQD成長時に、In-flush法と呼ばれるQDの高さ制御法を用いて1μm帯への発光波長制御を行った。結果、InAs-QDの発光中心波長を1.22μmから約270nm短波長化させることができ、1.05μmを中心に約220nmの帯域を確保できる可能性が示された。%We have grown self-assembled InAs quantum dots (QDs) on a GaAs substrate emitting at around 1.05μm in wavelength using the In-flush technique. This technique enables the realization of a broadband 1.05-μm light source with a bandwidth of beyond 200 nm via a combination of fabricated In-flushed QDs. Such a broadband light source is applicable to optical coherence tomography (OCT), thereby enabling high-resolution and large penetration depth in the OCT images. In addition, we found that a higher emission intensity of the In-flushed QDs can be obtained by reducing the annealing temperature of the In-flush process.
机译：近年来，光学相干断层扫描（OCT）作为一种新的医学成像技术备受关注。为了将来将OCT开发为更通用的医学成像设备，需要更高的分辨率和更大的覆盖范围。高分辨率OCT需要宽带光源。此外，为了获得高的到达深度，期望将光源的发射中心波长设置为1.05μm，其中水和血红蛋白的吸收和散射较小。本研究旨在通过使用自组装InAs量子点（QD）作为发光材料来制造上述光源。这次，在通过MBE方法进行QD生长期间，使用称为In-Flush方法的QD高度控制方法将发射波长控制到1μm波段。结果，已经表明，InAs-QD的发射中心波长可以从1.22μm缩短到大约270nm，并且可以确保大约220nm的带在1.05μm附近。 ％我们使用In-Flush技术在波长为1.05μm左右的GaAs衬底上生长了自组装的InAs量子点（QD），该技术可实现带宽超过200的1.05-μm宽带光源通过组合制作的In-Flush QDs达到100 nm，这种宽带光源适用于光学相干断层扫描（OCT），从而在OCT图像中实现高分辨率和大穿透深度。可以通过降低冲洗过程的退火温度来获得流入QD的数量。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号