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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電子部品·材料. Component Parts and Materials >Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングヘの応用検討
【24h】

Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングヘの応用検討

机译：In-flash法制备1微米波段宽带发射InAs量子点及其在医学成像中的应用研究

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近年、新たな医療イメージング技術として光干渉断層計（OCT）が注目されている。OCTは今後、より汎用的な医療イメージング装置として発展するために、さらなる高分解能化や高到達深度が求められている。OCTの高分解能化には広帯域な光源が必要となる。また、高到達深度を得るには、光源の発光中心波長を水やヘモグロビンによる吸収·散乱が沙ない1.05μmにすることが望ましい。本研究は、発光材料に自己組織化InAs量子ドット（QD）を用いることで、上記のような光源作製を目指している。今回、MBE法によるQD成長時に、In-flush法と呼ばれるQDの高さ制御法を用いて1μm帯への発光波長制御を行った。結果、InAs-QDの発光中心波長を122μmから約270nm短波長化させることができ、1.05μmを中心に約220nmの帯域を確保できる可能性が示された。
机译：近年来，作为一种新的医学成像技术，光学干涉层析成像（OCT）引起了人们的关注。为了将来将OCT发展为更通用的医学成像设备，需要更高的分辨率和更大的覆盖范围。需要宽带光源以提高OCT的分辨率。此外，为了获得高的到达深度，期望将光源的发射中心波长设置为1.05μm，其不被水或血红蛋白吸收或散射。这项研究旨在通过使用自组装InAs量子点（QD）作为发光材料来制造上述光源。这次，在通过MBE方法进行QD生长期间，使用称为In-Flush方法的QD高度控制方法将发射波长控制在1μm波段。结果表明，InAs-QD的发射中心波长可以从122μm缩短到大约270nm，并且可以确保大约220nm的带在1.05μm附近。

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