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【24h】

Narrow-Wall-Connected Microstrip-to-Waveguide Transition Using V-Shaped Patch Element in Millimeter-Wave Band

机译：使用毫米波频带中的V形贴片元件连接窄壁的微带到波导过渡

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Narrow-wall-connected microstrip-to-waveguide transition using V-shaped patch element in millimeter-wave band is proposed. Since the microstrip line on the narrow-wall is perpendicular to the E-plane of the waveguide, waveguide field does not couple directly to the microstrip line. The current on the V-shaped patch element flows along inclined edges, then current on the V-shaped patch element couples to the microstrip line efficiently. Three types of transitions are investigated. A numerical investigation of these transitions show some relations between bandwidth and insertion loss. It is confirmed that the improved transition exhibits an insertion loss of 0.6 dB from 76 to 77 GHz, and a bandwidth of 4.1 % (3.15 GHz) for the reflection coefficient below -15 dB.
机译：提出了在毫米波波段采用V形贴片元件的窄壁连接微带至波导过渡。由于窄壁上的微带线垂直于波导的E平面，因此波导场不会直接耦合到微带线。 V形贴片元件上的电流沿倾斜边缘流动，然后V形贴片元件上的电流有效地耦合到微带线。研究了三种类型的过渡。对这些过渡的数值研究表明，带宽和插入损耗之间存在某些关系。可以确定的是，改善的跃迁在76至77 GHz范围内表现出0.6 dB的插入损耗，对于-15 dB以下的反射系数，其带宽为4.1％（3.15 GHz）。

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