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A CMOS Dual-Mode RF Front-End Receiver for GSM and WCDMA Applications

机译：用于GSM和WCDMA应用的CMOS双模RF前端接收器

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A dual-mode, triple-band RF front-end receiver for GSM900, DCS 1800 and WCDMA is presented in this paper. This chip uses low-IF and zero-IF receiver architectures for GSM and WCDMA respectively to fulfill the entirely different system requirements of the two standards. It consists of three parallel LNAs and down-conversion mixers with on-chip LO I/Q generations. The receiver front-end is implemented in a standard 0.25 μm CMOS process and consumes about 30-mA from a 2.7-V power supply for all modes. The measured double-side band noise figure and voltage gain are 3 dB, 36 dB for the GSM900, 5.9 dB, 31 dB for the DCS1800, and 4.3 dB, 29.6 dB for the WCDMA, respectively.
机译：本文介绍了用于GSM900，DCS 1800和WCDMA的双模，三频RF前端接收器。该芯片分别针对GSM和WCDMA使用低中频和零中频接收器架构，以满足这两个标准完全不同的系统要求。它由三个并行LNA和具有片上LO I / Q代的下变频混频器组成。接收器前端以标准的0.25μmCMOS工艺实现，并且在所有模式下都通过2.7 V电源消耗约30 mA的电流。测得的双边带噪声系数和电压增益对于GSM900分别为3 dB，36 dB，对于DCS1800为5.9 dB，31 dB，对于WCDMA为4.3 dB，29.6 dB。

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